可控硅标称的脉冲电流是比如10ms脉宽下的电流，如果脉宽只有100us的话，脉冲耐流会高得多。这篇帖子里（XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/82409），实测类似70TPS这种可控硅，可以承受宽约130us，峰值约2.6kA的正弦半波。没有发现有损坏或者性能下降之类的。8个70TPS跑20kA应该没啥问题。

可控硅直接并联问题也不大。在几百上kA的电流下，可控硅的电阻足够明显，不会出现那种“导通压降的些微差别导致所有电流都走一个可控硅”的问题。另外，可控硅导通的时候，门极电压会有一个小的跃升，所以先导通的可控硅会拉着没导通的一起导通各个可控硅导通时间基本只会相差“一个可控硅的导通耗时”那么多（几us）

如果还是担心的话，可以在电容的引出线上套些磁环，当“磁开关”用。在刚导通的时候，用磁环带来的大电感降低电流上升率，给可控硅充足的时间全部导通。之后磁环饱和，电感归零，不再阻碍电流，不影响效率。（不过需要的磁环还是不少的……比如半斤这种级别……

其实如果不打算做多级的话，还是机械开关最省心。不过石墨电极+锤子…估计会把石墨砸碎……而且石墨在大电流密度下的电接触性能比金属差到不知哪里去了……不如弄俩铜片拿锤子砸……