我说的有点问题哈,记错了,IR2110本身没有电荷泵,但是我看到的一片文献中使用了外挂电荷泵来规避TON不能太大这个问题,非常有趣
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/view/XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXml
另外就是最近搜集到的一些Buck变换器芯片实现的论文中,自举电容也是采用电荷泵提供上管驱动,就不知道这么搞能不能在大功率场合用了(笑
还有就是刚刚想到一点可能的原因就是目前为止国内BCD工艺提供的DMOS耐压性能多少有些不够,貌似最高也就BPS的700v 了吧。。。可能真全做在一片上可能分分钟炸飞。。。
另外还有一个问题就是TC这玩意的效率是怎么量化的呢?
时段 | 个数 |
---|---|
{{f.startingTime}}点 - {{f.endTime}}点 | {{f.fileCount}} |