引用 rb-sama:

引用 三水合番:

引用 rb-sama:

引用 三水合番:

引用 rb-sama:
记得很久以前有一种可以关断SCR的方法，叫V Switch，具体的操作形式是通过一个高压小电容和副可控硅导通。
来产生SCR AK上的反向电压，来实现关断的效果。
这种方式可以产生比IGBT可关断方案更大的能量密度，IGBT恒流有一种方案是用比较器加电流传感器实现乒乓控制。
如果拉力的下降是可以通过加速度传感器的信号预测的，那么V Switch可以比IGBT做得更好

V Switch有个原理上的问题。副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断，然而受可控硅电流上升速率限制，需要设法降低副可控硅上的电流上升率来避免它烧毁。这样的话，首先关断用的电容就需要比较大的容量而且需要是无极性的，这样的话这个电容占的体积就会很大，其次限制电流上升率所用的元件本身需要占用一定的体积重量。考虑到这些地方占的体积和重量，用这个结构可能反而不如干脆不关断来的划算

啥？
我仿佛听你说“副可控硅需要承受主可控硅上全部的电流才可能让主可控硅关断”，你敢确定？

不确定的话我说它干嘛这不就是基尔霍夫电流定律嘛。不过这个话题继续下去的话，和本帖主题无关，你不妨另开个帖子。

别忘了，副可控硅可不是在主可控硅电流最大的时候关断。
所以副可控硅完全可以取得比主可控硅小，至于SCR电流上升率。
举个例子，TYN1225这个参数是100A/uS，试问如何达到这么高的上升率。