引用 莱特:
用IGBT做开关元件的话，G160N60UFD开启时间是75ns，铁磁材料在这个开关瞬间损耗非常大，一个脉冲过去，铁心都是热的。这个现象也可以反映在弹丸上，我用IGBT发射出去的铁柱都是热的！

弹丸上的损耗竟然能达到这个程度……之前还真是没注意到
不过，这个损耗和“开启时间”没啥关系，限制磁场变化的是电感，而不是开关元件。75ns又不是说75ns后磁场就升到最大了。从效果上来说，不管是IGBT还是MOS还是SCR，开启特性都没啥区别。
个人感觉，导致弹丸发热的损耗，主要应该是涡流损耗，毕竟用铁粉加胶水做的磁芯，貌似一直到几十kHz损耗都不是很大。也就是说，对于磁阻式通常涉及到的频率，磁滞损耗并不明显。
如果真的是这样的话，那么只要在铁心上开槽，或者用片状，粉末状材料做铁心，就可以极大的降低这部分损耗。