前面有人说到需要大电流，那么三极管就不合适了，三极管属于电流放大型，而且放大倍数还比较小，需要达林顿结构。而且三极管的饱和压降大了点。
现改为MOS管。MOS相对比较脆弱，需要好好选择才行。
由于使用干电池供电，需要大电容储能；而负载是低阻型的，加上接线可能短路，还要考虑到MOS的各种损坏模型：
MOS耐压基本都是20V以上，负载也不是感性的，所以不用考虑雪崩电压击穿失效，重点关注雪崩电流（补充：这个参数要满足直接给大电容放电真不容易，可能需要在线路上人为串点分布电阻）、单脉冲最大功率、单次最大吸收能量即可。计算表格如下：
电容能量计算公式与MOS封装.xls
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可见一个2200uF的电容充电到12V，能量约为158mJ，假设接线短路时会瞬间释放到MOS管上，MOS的封装就需要足够大才行。找了一些典型的MOS管对比，结论是TO-252封装比较安全，基本能吸收300mJ以上（根据Eas或其它曲线图推断）
