采用了谐振栅极驱动技术实现的13.6M半桥丁类功率放大器

半桥输出通过一个L型阻抗匹配网络后驱动等离子火焰谐振圈负载


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   要想驱动管子（不管是射频管还是像540这样的普通MOS管）到一个较高的频率（超过2M），谐振驱动电路是必须的，谐振驱动电路这不是需要讨论的，因为这是必须采用的，不用是不可能驱动到10M的。在这种频率下，传统逻辑门做的反相器的速度显得太慢，必须采用变压器或者传输线变压器做的反相器来实现180°相位差的两路信号。
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  其次，功率电子技术说的半桥，全桥结构在10M+的频率上已经不太适用，上图那个方波的波形用的就是功率电子技术说的半桥结构输出的，那个桥虽然可以很好地工作（对于很多人来说可能很满足了），但不堪一击。在工作过程中的出现的任何意外都可以轻松导致它损坏。尽管如此，他在1-5M范围内依然具有桥类结构的各种优势（意思是超过10M的桥不论是功率特性还是效率等，都不如其他结构，尽管可以造出来，我也造出来了，但意义不大）
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谐振是必须的，射频功率放大器的各个级之间的匹配大多是窄带的，不是什么东西都是模块大法好的（但是像DRSSTC这种本身电流就是要达到几百A的，用大模块是没有什么错误的，是非常正确的做法。但是如果我看到用大模块谐振驱动然后玩高频的，╮(╯▽╰)╭），有的人做这些东西还试图用几百A的大管子去做那是不现实的。要出1MHZ，用普通不谐振驱动的方法，用音频D类功率放大器专用MOS管可以轻松实现。现在最新的MOS管大多就是用在频率几百K到1.2M这个区间，并没有什么问题。说白了爱好者领域是妖魔化了栅极电容，这玩意没那么恐怖，是不合理的布线带来的较大的寄生电感导致了栅极电容的妖魔化。

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  那篇论文我在三年前看过，我大一的时候做那个5MHZ TC的时候参考过，然而这种东西为什么没办法应用起来也是显而易见：低频领域用经典驱动，不扯什么谐振；高频领域有高频的一套东西，高频功率放大器大部分都是用了谐振驱动的，随便从里面找一个LC阻抗匹配，你也可以说是因为谐振所以电压升高了（大多数TC爱好者喜欢用这种描述）。然而射频行业内的人根本不会提到谐振驱动这个词，因为谐振驱动在高频领域已经是默认的东西了。。。至于功率电子技术领域，随着技术发展，也不会提到了。。。PWM技术是不允许用什么谐振驱动的，在天朝人研究谐振驱动一个MOS大模块的时候，人家老外做的砷化镓模块轻轻松松可以驱动到10MHZ。。。
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总结一句，要看谐振驱动技术，去看看射频功率放大器的书籍，里面讲的很详细，当然里面不会说这个是谐振驱动，而是用更专业的术语，比如【LC阻抗变换器】----爱好者非要描述成“因为谐振了所以电压上去了。也没啥问题，简单形象。

/////////////////////////////////////////////留一个问题（参考某知乎回答电力这块的用户的风格）//////////

小电珠参数3V 350毫安，图中所示为刚好工作在额定亮度状态。在上图所示状态是这个亮度，那么问把它焊接在放电端是否亮？亮度如何变化？此时流过它的电流是否依然是350毫安（考虑屈服后的电阻变化）。