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~~空空如也
以下是引用HK007在2006-11-15 14:24:57的发言:

555可以控制电压,在电容两端取出一个电压和基准电压比较,再送回555的4脚,老外的图纸里有的.

楼上的IGBT烧毁,电流太大和时间太长都是直接原因,用可控硅的话,这么长的时间估计也承受不了,最好控制在1mS以内比较好.



我现在用的就是电阻分压取样三极管控制的反馈,但是控制非常不精确!

我想占空比调整是可以调整这个充电电路能达到的电压上限,就是不知道这种推断有没有道理!?

阿丕的实验里用200多V电压,单管可以控制且不烧管,我估计是电流还没有达到最大值的时候就关断了!(但是又不能解释他的残压只有7-8V的结果)他应该用的也是IGBT(G80N60的DATASHEET里说额定80A,瞬间极限不超过240A),200多V电压加到不到0.5欧的线圈上,实际电流远远超过它的承受极限了!

我爆管子后的残压是76V.

因为手头的所有管子几乎全部捐躯了,刚才用40A的电源插座,用螺丝刀快速短接试验了一下,最好的效果是直接完全穿过包装盒第一层,进入盒子内部,并扎在另一面上。后来又直接对着2米外的墙上射击,我只能说速度很快,子弹在木墙上没有扎住而反弹出去好几米远。仔细看扎的痕迹,子弹是斜着撞墙的,因为孔是斜的。如何纠正弹姿可能不是一个容易解决的问题!

文号 / 8325

千古风流
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