MOS管子栅极和源极之间接电阻没有?IRFP450肯定不能用的,通流能力太弱,才几十安,四只并联也没用,MOS管子的脉冲电流耐量为额定电流的3倍左右,这样总通流容量才300多安,肯定会烧的,IGBT的通流容量就大些,多并几个就不会烧.
可控硅就不同了,普通单向可控硅脉冲电流可以达到原来的15倍~20倍,两个25A的可控硅,瞬间通流容量就是1000A,所以我敢用3000uf/400V电容,只用两个25A/800V可控硅并联,试验多次,效果良好,可以击穿一块三夹板.
你的线圈是怎样的?
另,SCR并联控制级用不用各串一只电阻用于均流?
我买不到单向塑封的大电流SCR,用了两个BTA41.600B,大概射了二十几次,其中一只击穿了,敲开看,核芯都成玻璃状态了,明显过流....
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