MOS管子栅极和源极之间接电阻没有?IRFP450肯定不能用的,通流能力太弱,才几十安,四只并联也没用,MOS管子的脉冲电流耐量为额定电流的3倍左右,这样总通流容量才300多安,肯定会烧的,IGBT的通流容量就大些,多并几个就不会烧.

可控硅就不同了,普通单向可控硅脉冲电流可以达到原来的15倍~20倍,两个25A的可控硅,瞬间通流容量就是1000A,所以我敢用3000uf/400V电容,只用两个25A/800V可控硅并联,试验多次,效果良好,可以击穿一块三夹板.