电容对电感放电,电场能转换为磁场能储存在线圈中,然后线圈对电容反向充电,在有二极管的情况下,反向电压被二极管箝位在1V左右,最大也不超过几伏,管子得到了保护,如果没有二极管,线圈的反向电势就与电容串联叠加在IGBT上,由于你所采用的电容容量巨大,线圈会产生很高的反向电势,超过IGBT耐压造成IGBT击穿损坏.

既然采用IGBT,可以考虑加入能量回收装置,既可以保护IGBT,还能回收能量,一举两得.

如果不用能量回收,就要防止IGBT过压,可以在IGBT两端并联一个压敏电阻,用100V左右的即可,由于压敏电阻残压比较大,最好不要使用超过200V的.

压敏电阻过压冲击次数过多容易损坏,可以改用TVS,用60V左右的即可,要多只并联,提高通流量.

一般不推荐采用二极管的方式,二极管内阻过小,会大大延长线圈电流释放时间,对提高速度不利.

顺便问一句,你的IGBT是用一只还是多只并联?谢谢