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~~空空如也
HK007
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发表于《电磁枪制作日记（二阶段）》

300mA电流小了一点,虽说IGBT是电压控制元件,几乎不需要电流功率,但是IGBT的栅极等效电容比MOS还大,可达几千Pf,在IGBT开启瞬间有很大的充电电流,可达几安培,电路最好改动一下,看看这个如何:


这个是大功率MOS和IGBT驱动的成熟电路了,应该有用的,与常规电路相比,可以加快IGBT的关断速度,同时使IGBT的开通速度稍稍减慢,克服IGBT的\"擎住效应\"的影响.

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