窝这边很久没有玩过高压包了，所以以下言论都是只基于理论没有经过实践检验的
检测空载的目的是防止次级过压发生击穿
根据高压包的设计（较大的气息，储能电感的形式），应该是为反激电路设计的，也就是MOS关断之后次级才释放能量，因此推荐以反激的方式驱动高压包，半桥全球推挽不是最好的方式。
反激电源有个特点，可以通过检测一个绕组在MOS关闭时的电压来检测另一个绕组的电压，这就为我们提供了一个隔离检测高压包输出电压的方式。实际上，现在很多手机充电器都利用了这个特性，这些电路叫做PSR。虽然这种方式的反馈精度不是很好，但是作为过压保护也是足够的。
顺便说，上面的电路没有给mos加RCD吸收电路，在关断瞬间mos可能需要承受相当高的电压，容易造成击穿
