弹丸到达线圈前,电流上就升到600A,不是问题,增加两者的距离便可;单片大电流的IGBT也不是问题,浪涌电流达300A的多的是,根本没必要用模块;
问题的关键是:如何快速释放线圈电流!不知道阿丕线圈的长宽比如何,三线并绕600匝的话(单线200),线圈电感估计在400~1000微亨左右,如果是400微亨,线圈匝数就差不多了,这时关键看电路结构了,充分发挥IGBT的优点,关断di/dt做到2A/uS不成问题,300微秒就彻底关断;做好的话,超过俄佬不难;昨晚在我最新电路上初步做的实验结果:单线圈,240匝,1.2毫秒做功时间,电流130A,弹丸尺寸:25mm*3mm,射速22~24M/S;
要达到俄国佬的威力,没有上1000A不行吧,我记得以前看他的网站上是800A,但他用双管双电容,有两次电流峰值,用单片机只能做一次峰值吧,而且由于电压较低(记得俄国老是800V)这个电流峰值产生的效果也不如他的.
另以你提供的数据看,关断时间不理想,在高初速下,弹头还没出线圈就要开始截断(比如说60M/S,以0.3mS截断计算,弹头离线圈出口1.8CM就要开始截断,这个问题如何解决?记得IGBT关断时给G加上个负压能加快关断速度,你有试过吗?
200匝线圈电感如果直径不大估计不会超过150uH,我测过的7X28匝,内径5MM的,电感130多uH.
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