引用 rudolf:论坛上很少有人从这方面来研究IGBT和MOS在用于DRSSTC时的损坏机理，我之前认为是IGBT管芯在几个谐振周期的极短时间内由于开关损耗导致发热超过其能够将热量传递到外壳的速度而损坏。 耦合度的文章地址能否发一个，我找时间翻一下。
曾是化学爱好者转到火箭爱好者最后变成电子爱好者的科创爱好者。
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