引用 novakon:
上图是4422的输出特性。



上图是楼主用的IRF530.


直驱的话，上升时间应该在20ns左右。加上50ns延时，共70ns。



上图是TC442X输入端口特性。楼主的拓扑适用4422.
这里有一个25...

破X基于数据图表的分析十分精彩，赞一个！
不过就这个电路来讲，如果TC4422直接驱动MOS管，工作不了一秒会直接烧掉。
似乎并不符合官方给出的数据表格给出的结果。破x能不能一起分析下是什么离散参数影响理论情况数据导致的？
至于会考虑用栅极谐振原因其实是，首先TC442X输出结构是一个图腾，对于方波输出，是一个纯容性的负载，而纯容性的负载往往会使得内部开关管承受应力增加。
分析到单个波形上就是，前半个周期给电容充电，后半个周期直接给电容短路，会形成电流尖峰。
而栅极谐振能增加电压驱动幅度的原理，实际上是利用槽路中LC谐振时会储存能量的原理，利用电压型谐振的特点，将Cis端驱动电压整体提高，使得线性区时间总体减少。来减小开关管的发热。对于TC442X芯片而言，此时实际上是每个周期给LC谐振电路补充线路电阻消耗的能量，这个能量的大小，远远小于直接给容性负载充放电的能量。
所以我在实际测试的过程中也发现，使用了栅极谐振驱动，驱动电压增加了。TC442X的发热得到了较大程度的控制，至于拍频灭弧，我同意对降低也是有贡献的，而且很明显。但是应该不是主要的原因。
所以综上几个因素，不能直接套用图表中直驱容性负载的曲线来计算，也不能这样来直接得出TC442X芯片的温度了。

至于去掉谐振驱动，我认为破X的想法是可以实施的，出于阻抗匹配的思路。在驱动的时候，串入一个栅极驱动电阻，使用门限电压较低的MOS，也能达到栅极驱动一样的效果。
因为MOS管处于线性区的时间也减少了，发热能得到有效的控制。但是相应的MOS管耐压可能会降低，对于这里面的选型要做一个平衡！
至于还有一种方法就是变压器阻抗匹配，这个我试过，但是没有成功起振。原因可能与电路的瞬态响应有关，但是具体原因未明。

所以说基本上要想超频率使用MOS，都是需要在栅极驱动谐振上下功夫。至于拍频带来的负面影响，如果不嫌麻烦，建议弄一个双谐振选频，能得到近似于一个平台的带通增益区。可以避免这个问题，另外就是加辅助驱动信号。

不过其实这些都偏离了简单易做小TC的初衷了，但是对简单事物的展开分析，对提升自己设计稳定电子线路的能力是很有帮助的！
希望版块里多一些这样的高质量回帖[s::lol]