由于大电流高压的可控半导体开关非常昂贵，本着最小成本最大效果的DIY精神。本帖讨论如何合理利用廉价的晶闸管。对于线圈部分的问题简单掠过不予详细讨论。
电路分析和设计首先得从拓扑上分析。如何用最快的上升率和最短的时间完成电容到电感的放电过程咧？怎么用有限功率的开关来达到最大的总电流呢？
假设：
450V 2000μF的电解电容X6个 总储能约1200焦耳
70TPS16晶闸管X6个
先不考虑电容均流均压问题。只考虑晶闸管和电容在电路当中拓扑位置的问题。
电容组合方式有如下几种方式：
A：6串 2.7kv
B:2串3并 0.9Kv
C:3串2并 13.5kv
D:6并 450V
A方案，电压过高，否定
B方案，电压适中，电容并联，有利于减小电容组的等效串联电阻。不超过1000V
C方案：电压最接近70tps16的耐压值。晶闸管通过的功可以达到率最大，但是也最容易超载。
D方案：电压最低，电容组放电电流最大。
综合看来，BCD方案各有千秋。
储能电容组的主要晶闸管开关位置，不知道大家一般怎么做，借用下
ビリビリ女大神的图，原帖地址：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/23212
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这种方式是电容组和SCR各自独立，各个电容的电流是经过并联然后汇总到SCR，这种方式在电容总量大，SCR要又省钱的情况下是很不利的，如果并联SCR来提高电路的电流，的话，电容组和SCR组都要分别均衡。增加复杂度和成本。而且并联的每个scr不能发挥出最大效能。
