楼主的设计令人感到全身温暖、血脉喷张！

当然我回帖一向都是以吐槽为主的。下面开始。

1.好贵的管子呀

按照400V/2kW来算，二极管平均电流是5安，rhrp3060在5安的压降是1.2V，即消耗 6W。
占空比不清楚，暂且设mos最大电流10安，50%占空比。双mos并联后导通电阻为35毫欧，即消耗3.5W。


此管Cgd Cgs非常大，400V Vds下开关损耗极其可观，建议楼主计算一下双管并联的开关损耗。如果忽略开关损耗，楼主双mos并联，导通损耗3.5W左右，平均每个管子小于1W，等于完全不用加散热片（就算加也不用加那么大一块）。


2.设计总是很复杂


虽然运放和贴片电阻都很便宜且很可靠，但大量使用仍然不利于MTBF。
有一些电路设计，更是复杂得匪夷所思。
挑一例典型的，批评一下：





楼主的目的：threshold电压大于6.8光耦通电，小于5.2光耦断电。也就是一个滞回比较器。


首先齐纳管分压完全不需要旁路电容，15V上面的100mV噪声用齐纳+电阻分压之后不会大于5mV，完全不影响滞回比较器（比较区间1.6V）工作。


其次，滞回比较器完全不需要使用555. 下面这个电路可以实现一样的功能。


5V直接用15V分压就行了。

如果再要找茬，就是为了电压检测这么一个功能而专门加一路供电，是不是太多余？



输出RC滤波，再接比较器即可。图中有错，GND改成AC2，要串4007
此电路工作原理：如果交流输入电压的1/100大于发光二极管导通电压，则光敏三极管一边会产生电流。


如果需要设置很精确的低压门限，当幅值超过门限时光耦输出脉冲信号，则可考虑TL431。


个人意见：如果纯粹为了保护管子，漏极用康铜丝采样，过流保护即可。

3. gate drive

12V驱动电压+10欧串联电阻=最大驱动电流1.2A，因此驱动用IR2110即可（一片可管两个通道），不需要具有12A输出能力的MIC4452。

关断有二极管加速，看似万事大吉，但楼主的gate离drain太近，离source太远，寄生Cgd电容会导致excessive ringing；且gate drive return没有单独连到每个管子的source，而是从一大片铺铜返回，这会导致gatedrive 的回路面积增加，首先EMI会通不过，其次gate drive路径寄生电感增加，同样会导致excessive ringing。




图中黄线就是12A驱动电流将要流过的路径。

建议楼主发个Vgs和Vds波形让大家欣赏下。

除了这一处之外，其他大电流回路的走线还是比较合理的。

4. 铜皮和走线的阻焊可以直接勾选开窗，无需事后再加。

5. 人无完人，楼主万岁万岁万万岁