从上面试验可以看出1、你操之过急，一下就是十级，先进行单级试验可行后在加级数。2、从你以前的贴子中看到的线圈电阻2欧，电压300V ,加上感抗，峰值电流不会过150A，一次发射过后就坏了十个，可以看出你的IGBT耐压达到了400伏，不然你没有机会试验发射，可以看看吸收二极管型号对不对，电流够不够其开关的速度要能敢的上IGBT开关速度，不然加了也白加，3、你测试IGBT时G脚有没有接地或加负压，不然也容易坏。4、你说感应电压击穿IGBT，看来你的电路有问题，看看G脚有没加稳压二极管，15V就够了，我想周边感应电压上400V以上不可能，你的电流才多大，5、你两端并联104吸收电容可以减小报废率，看来还是你的吸收二极管选的不对。这是我个人经验
顺便也说说我的IGBT电磁加速器，IGBT用160N60UF，后面不要有D的，有D的表示加了阻尼二极管。铜线0.8mm 3CM长 300匝 电阻0.4欧 电感304UH，子弹直径5mm长2CM，吸收二极管用RHR30120，驱动三极管图腾输出，驱动电压+15V -5V，线圈电压400V，电容单级470UF。光电开关控制，第一级用SCR加速，第二级开始用IGBT加速，IGBT为电流160A，峰值电流320A，耐压600V。只要驱动做好了，一般不会烧IGBT，我只做了4级，因别的原因没有在做下去。