LZ对电容的理解有偏差。
C只是用来描述电容器存储电荷能力的常量。

理论上，理想电容是不会被击穿的，此时你如果不断的加高电压，其内存储的电荷就会越来越多，C就是用来描述随着电压的增高，电容器内存储的电荷数量增加的规律（正比，斜率为C）。

更形象的理解如下：
电容器就是一个底部面积为C的圆柱形水桶，你向水桶中加水（充电），水面就会上升（电压升高），水桶里的水量就越来越多（电荷数量变多）
如果你加水的速度也就是水流量（充电电流）保存恒定，那么水桶里的水面上升的速度就只与水桶的底面积C有关系，C越大则水面上升得越慢，C越小则水面上升的越快。
水桶的材料如果是理想的（永不破损，强度无穷大），你就可以一直向里面加水，水面高度也就会一直增加。

正常的电容就相当于正常的水桶，当水深达到一定的高度后，材料已经禁受不住这么大的压力（电介质的耐压值），此时水桶就会穿底（电容击穿）。。。