瞎画个TL494的半桥驱动高压包电路，还请大家指正！

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475685

4楼

呢…其实吧…两对8050/8550图腾并着用就好了…爪机上看起来没问题（图太小看不清～从主要部分看没什么问题）建议图腾供电18V～

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475708

5楼

回 4楼(奇侠) 的帖子

大哥怎么能够并着用呢= =同相了还驱动个毛= =
驱动电压关系不大= =只要494输出电平能把管子饱和就行了。。箍数都自己定所以电压12-20都算合理

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475720

6楼

回 5楼(任某人) 的帖子

大哥啊…看来是我表述不清楚啊…其实我是想说一个相位驱动两个8050/8550图腾，这样的话驱动力从理论上说比只用一对大一倍……（注意量词…一个…一对）

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12年1个月前 IP:未同步

475736

7楼

回 6楼(奇侠) 的帖子

额。。不解不解。。bjt又没有内阻。。你并俩压降还是一样的= =你推一个图腾跟推1000个图腾喂给场馆有啥区别呢。。
只要负载在三极管能承受的电流以内三极管喂得肯定时候最大的电流，这根电阻并联不一样

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12年1个月前 IP:未同步

475796

8楼

回 7楼(任某人) 的帖子

好吧。。。我发个图。。。不知道这样你明白了没，电源没画。。。

当然实际使用还得改改。。。

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12年1个月前 IP:未同步

475998

9楼

回 8楼(奇侠) 的帖子

我知道你啥意思。。

现在是8050 8550峰值电流足够推mos图腾了，还有什么必要并管？

你并再多管子压降还是一样的，如果mos输入阻抗不变效果是一样的。。就跟你并100000个二极管和一个二极管整500mA的电流有区别吗= =

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rudolf

12年1个月前 IP:未同步

476029

10楼

大概能减轻三极管的负担吧

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12年1个月前 IP:未同步

476086

11楼

回 9楼(任某人) 的帖子

单图腾的推半桥的话～图腾管发热～很蛋疼

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476265

12楼

回 11楼(奇侠) 的帖子

大哥人家可没有直接用图腾推半桥阿。。mos图腾不算低阻抗的负载啊。。峰值电流够了就行了Irms很小的。。

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12年1个月前 IP:未同步

476303

13楼

回 12楼(任某人) 的帖子

啊…这我就不太清楚LZ想怎么用了…不过我之前用一对8050/8550图腾推GDT推50ud半桥时，图腾管热得像陀屎一样…不过波形却杠杠的…

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12年1个月前 IP:未同步

476313

14楼

回 13楼(奇侠) 的帖子

额= =你看清楚lz画的。。用bjt图腾直接退开关管有点太蛋疼了吧。。
他这明显是bjt图腾推mos图腾啊= =
虽然已经证明过此法推图腾延时大的像一坨屎一样= =

@金柯居士。。

小翠翠粗来。。看还能吧之前仿真那图找出来不？

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12年1个月前 IP:未同步

476315

15楼

@奇侠
可以仔细了解一下输出阻抗和负载阻抗的匹配问题

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12年1个月前 IP:未同步

476402

16楼

回 15楼(rb-sama) 的帖子

瞄了一下50ud的pdf。Ciss=4000pF，Crss=52pF，那就可以进行计算（平均电流）
这里C1对应Crss，C2对应Ciss

然后计算给C2充电电流，当时我是用18V供电
利用公式I=Q/t Q=CU 可得
I=CU/t
我在这里计算的是从0V升到18V的过程，然后假设上升时间150ns，这个速度已经可以了。
那么给C2充电的电流设为I2，即
I2=[{4000*10^（-12）}*18]/{150*10^(-9)}=480mA
然后计算I1，当时我给半桥供电60V，即U=60+18=78V
在这里考虑米勒电容效应，Crss会扩到原来的4至5倍（我以4倍计算）
同理可算得
I1=108.16mA
即给一个50ud充电在150ns内上升到18V需要I1+I2=0.58816A
给两个50ud的话
需要电流0.58816*2=1.17632A
然后回来看看一对8050/8550图腾所能提供电流
pdf上写的是1.5A，小于所计算值。看来确实有这个能力。
综上来说，是个人技术不够导致的发热。
完

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12年1个月前 IP:未同步

476451

17楼

回 16楼(奇侠) 的帖子

米勒电容在电压60V的时候。会向C1倒灌40多V的电压。
在母线电压更高的时候会更大。这时候你再用Q=CU算算需要中和的电荷量。
计算的时候。这个数值能很精确算出来。干嘛估算。而且母线四五百V的时候。可不是四五倍。而是四五十倍。

而且之前是在讨论MOS图腾。并不是在讨论驱动50UD。
驱动50UD全桥的话。需要把所有参数X4。并且还要按最大母线电压算米勒电容带来的影响。

而分析8050/8550驱动MOSFET图腾。是绰绰有余不需要并管。就是这样。

PS：I=Q/T这个公式有点幼稚。只对于横流有作用。实际上这个式子应该写成Q=∫Idt
给电容充电时候。电荷量是电流对时间的积分。这时候你需要计算的是电路的阶跃阻抗。
才能确切得出Ipk这个驱动电流最大值。而不是简单的用高中物理公式算一算了事。

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12年1个月前 IP:未同步

476459

18楼

回 16楼(奇侠) 的帖子

随手用spice仿真了一下不考虑米勒电容情况下对一个LCR电路的充放电。
来模拟对50UD 栅极的驱动。

驱动电压源内阻为0。线路总漏感100nH。栅极电阻4.7ohm。Ciss=4nF。
驱动源特性为在10mS的时候。提供一个100nS速度的电压提升。高电平15V。低电平0V。
写入控制语句.tran 20mS 使之提供整个系统20mS内的所有数据。

仿真开始之后。可以很明显看到熟悉的驱动波形。
绿色曲线为电容电压。也就是栅极电压。由于漏感的存在。有一个微小的电压过冲。
接下来是我们要研究的蓝色曲线。蓝色曲线即驱动电流波形。
Ipk电流峰值毫无疑问的达到了700mA。而Tr=160nS。和你用线性公式算出来的差远了。
而且你的设定参数是Tr=150nS Vo=18V。Ipk无疑大于700mA。

这样一来。光是驱动Ciss都要耗费这么大的电流峰值。
就更不用考虑在高压母线300~400V的情况下驱动电路抵消通过Cm电容感应回来的电动势所需要的峰值电流了。
这样说你应该能理解为什么一些MOS/IGBT驱动器需要动辄听起来很吓人几十A的内阻抗特征对应电流吧。
那些几十A的驱动器并不是虚标。而是的确需要提供这么大电流来抵消Cm的影响。

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476461

19楼

刚才又重新设定了参数。算了下米勒电容。在400V母线下需要将近9A的驱动电流。
而50UD全桥需要将这个参数X4。这还是没考虑到GDT系统的能损。
现在想起用8050/8550驱动全桥还想达到150nS的Tr Tf真是太神奇了[s:220]

而540 520这种小MOS。不需要考虑Cm。Ciss几百pF需要的驱动电流小得可怜。
反而用8050/8550并管驱动倒是挺奇葩的[s:220]

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476475

20楼

回 19楼(rb-sama) 的帖子

好吧。一不小心歪楼了。是我的错。那个计算方法是在开关电源设计（第二版）的MOSTFE驱动的讲解里的，我知道I=Q/t这样计算是平均电流，所以也有些疑惑为何这么算。写成积分形式倒是会更加准确。然后到对于LZ的问题，我的本意是说用双对8050/8550图腾直推GDT的，可惜后面慢慢地歪了。还有感谢B的讲解。爪机打字不多了。完

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