在低压下持续工作 应无任何元件出现过热现象
此时可以将半桥和驱动板GDT做实际连接 检测各点波形的特性
记录此时频率的值 此高压包谐振频率在100KHZ左右
在示波器的监测下 确保ISSTC DRIVER V2.0的电控占空比输入端子电压在0.2V左右
此时死区时间只剩下4%左右 不妨碍正弦波电流的形成 且能保证半桥上下桥臂的安全工作
为接下来的稳定工作做出了保障
在这里我的半桥功率电路还是一如既往的使用了刀刻板制作 经过1min的1KW工作测试此半桥仅温升20°C
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在母线两端后来我并联了一个高品质的MKPH 1μF电容 可以很大程度的衰减母线尖峰 保障功率管的安全
不得不注意的是 驱动高压包这种漏感较大的变压器 必须在输出端加上RC电路对初级绕组产生的尖峰进行衰减
![QQ截图20120209170938.png]()
吸收参数为：10ohm/3W，2n2F/2KV
在后来的功率测试中 这个10ohm的吸收电阻 竟然会在5S内加热到冒烟 可以见得此吸收电路在工作中起到了重大的作用
输出电压尖峰在基波150V时 仅仅有20V左右的幅度
接下来将系统做总体连接
![QQ截图20120209171733.png]()
