我觉得这个问题可以从两方面解释：
1.国产行变品质普遍较差，导致很多高压包在玩的时候内部硅堆软击穿，或者干脆直接损坏，导致高压包交流输出，这样推挽的两个周期都有能量传递，自然两个管子都会热；
2.行变的设计是长磁路低耦合度，从U磁芯上就能看出，所以漏感比较大。当负半轴硅堆截止时，漏感储存能量，这一点可以看做和反激电源近似，但是此时漏感所能储存的能量有限，所以还有一部分能量回馈到初级，导致当前导通的MOSFET电流过大，所以最终的结果就是两管发热不平衡。但很多人做的ZVS两管温度又是一样的，这一点的解释是MOSFET是正温系数的半导体，随着温度的升高导通电阻会增大，从而限制了电流的上，最终达到了自平衡的效果，同时一般人把两个管子拧在一个散热片上，这样热量互相均衡，自然感觉不出来两管的发热有啥区别。当发现推挽结构的电源里两管发热非常不一致时，表明磁偏严重，离炸管不远了！
