。 越是接近理想电容，电流越是能接近“无穷大”！ 当 “趋于无穷小”的内阻经过 “趋于无穷大”电流。  或者是较大内阻，较小电流。都同样符合欧姆定律，内阻上的电压是相同的。  
  由于电压乘电流等于功率，所以内阻小做功更迅速。


内阻越低，做工过程越快。 如果内阻很高，两个电容就要很长时间才能趋于平衡。 不管电路内阻大小如何，内阻耗散功率是相同的。
内阻越小，越是瞬间做工。 无论用多么低内阻的可控硅，只要电容内阻足够小，必烧。




上面是没有考虑电感效应
假设完全没有内阻损耗，就是标准LC震荡。不过一般容易测量的LC规格的电磁波频率较低，辐射较慢。 而且电感抗药高于电阻抗才能谈效率。


当成电磁炸弹不是太合适。电磁炸弹是以电感为储能元件，电磁场辐射效率高。 尤其是越高的频率，感抗与内阻比值越高，效率就越高。    电容作为储能元件，电容本身不但不利于辐射电磁波。而且频率越高，感抗和内阻比例越小。辐射效率就越差。
  可以通俗的说，更高频率的辐射都被电容“吸收掉了”  而电容谐振的频率，又往往不太高。辐射慢效率低。






上面分开谈了内阻损耗，和电磁辐射损耗。  这两种效应哪个更显著，就取决于电路里的阻抗，和感抗的比值了。