多级磁阻发射igbt和可控硅混合驱动电路，使用一个主电容组，igbt（可以是多个并联以提高额定驱动电流）串接在驱动主回路中，用每一级的开或关触发信号驱动串接于主回路中igbt的开和关，每一级的可控硅（单双向均可）用触发信号单独控制每一级线圈的开通，每一级线圈都并联续流二极管（当主回路的igbt关断时进行驱动线圈进行续流，当主电路igbt良好关断后，分级电路可控硅的电流同步降到0，当igbt关断时间大于可控硅的关断时间参数后，可控硅进入完全关断状态），多级可控硅驱动电路并联后串接于主回路中，用igbt关断主回路电流来关断每一级需要关断的可控硅。需要注意的是这个电路的每一级的开通信号要同时送到主电路igbt和分电路的可控硅，并且开通信号需要一直开通到每一级的关断点，关断点要比每一级的中间点更加提前（如果在每一级的中间点关闭会造成续流回路电流太大对弹丸形成反拉）。
上面的电路说明是我很久以前就在这个版块提出的多级复合驱动电路，这个电路的开通关断和电容电压没有任何关系，只取决于每一级的开通和关断触发信号。