再谈混合驱动
也许大家不一定认同，但是我看别人的经验公式是。可控硅可以顶住10倍瞬间标称电流，IGBT可以低昂住三到四倍。
这样看来可控硅有优势，但是可控硅无法自行关断。而且用双可控硅开关的话，关断速度不一定快。
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我不介绍那么多了，直接切入正题。
我认为磁阻式加速装置可以简单的分为电源、开关组、控制、加速线圈、加速物、能量回收，六部分。
既然电源排在首位，那么就从电源开始。
大家普遍使用电容组经开关管直接给加速线圈供能。这样不仅不利于关断，还不利于效率的提高。
我的想法式，让供能电源不再是直流，也就是说用IGBT组控制使高压输出为50k的脉冲，然后在供给可控硅及线圈加速。（当然占空比要合适，否则可控硅无法自行关断）
这样做的好处结合了IGBT的关断速度，以及SCR的单管耐流高。而且在对可控硅进行控制也方便了许多。
开关组
开关组要与控制电路相配合，一个是低压，一个是高压，所以我们需要多路电源，同样在控制电路与动作电路间也要加入隔离。
还有一点开关组的发热量并不是很大，所以在多级加速中SCR众多的情况下可以考虑蜂窝式安装。
控制
说道控制，相信大家都会多多少少有些头疼，什么感应式的、光电传感似的、激光测距的、单片机模拟的、自控式的。
各种方式都有局限性，我也没能拿定主意。所以谈下一话题。
加速线圈
根据加速线圈的不同，可能会对效率造成影响，本人认为不同的线圈，不同的容量，不同的电压，三者之间还是有规律可循的。
所以不要盲目做多级，在不同电压，不同容量的情况下多试几次，比盲目做多级来的有意义。
加速物
由于线圈内经要尽可能的等于加速物直径，所以导向管不可能有足够的厚度，因为金属导体会产生自感，降低效率，所以唐县是不要想了。（当然如果你有好的复合材料和加工设备可以做线）
所以我们只能把希望寄托于尾翼。（个人观点）唯一倒是可以使用复合材料，简单的来说足够厚的纤维板和亚克力板都可以，还有一点需要说明，最好让中心落在加速物前三分之一点，这样有助于它飞得更远。
能量回收
由于决定使用高频脉冲电源，所以管断后的线圈就像个空心变压器，我们要把这部分能量导出来，并且迅速的消磁也对加速的效率有意义。
可以先充如低压电容，再经升压电路充至主储能电容。
