400v 1uf 是高通电容，改善高频响应，没有那个电容，整流2级管会发热烧掉。

可以并联一个滤波电容 200UF 以上，但是功率管的要加风冷。


肖特基提高关断速度， MOS 有个死区时间 ，大概4～5%，
不想炸管子还是老实加个这个，现在我们公司的所有的正弦输出逆变器我都要求加上了这个肖特基，在大功率下炸管子的几率小多了。

可以用20100CT，2个并联，关于肖特基和快恢复，他们是正温特性的，可以并联使用。


我的几乎不发热，波形比较好，是方波。
在大功率下发热属于正常，因为MOS 在导通和关闭都有损耗的。内阻也有损耗。


LC 计算可以参考TESLA 的计算方法。论坛好像有


H桥是所有功率推动电路中最强大的终级解决方案。无可替代。

输出功率比半桥大一倍，比推挽大4倍

不要用EI 变压器，你可以用收音机磁棒，自己做个，那个性能超强。注意不要留间隙！
有间隙会烧GS 的稳压管或烧死MOS