半导体器件烧毁的原因还有di/dt和dV/dt，高频率高功率下高的电流上升率和电压上升率对管子的安全工作影响很大。
传统的晶体管（达林顿复合管）还有二次击穿的问题。
可控硅耐dV/dt很差。
IGBT耐过流很差（一般的电力电子电路要求检测到过流信号后10μV内软关断，硬关断容易引起高dV/dt和高的电压尖峰烧毁IGBT）。
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