参数提取部分:
下图为NMOS测试电路,以一个W/L=10/1的NMOS为例,对该管的KN,沟道长度调制系数(Lambda),体效应系数(Eta)进行计算
首先,在spectre中,导入仿真变量,进行DC-SWEEP仿真,设置输出为NM0漏极电流
不要忘记导入仿真参数文件(虽然先进的工艺库大多给你直接自动导入好了)
使用Tools->Parametric Analysis,对VGS进行仿真,仿真产生不同VGS下的VDS-ID曲线簇
另一张重要曲线图就是给定VDS=5,扫描VGS-ID曲线,主要用于粗略得出VTH
手工计算思路:首先选定典型IV特性曲线一条,选取饱和区的两端,计算得出KN×Lambda,将该值重新代入方程中,计算得出KN和Lambda
手工计算的结果:Lambda大约是7.14×10^-3
软件计算结果:Lambda=1/Vearly=9.91×10^-3,误差超过了20%。。。。。。。。
--------------------------------------------------------------------------下面为设计部分-------------------------------------------------------------------------------------------
首先,由电源电压和功率参数,我们可以得出结论:设计整体电流<=40uA
我们砍出一半,作为这个放大器的工作电流。
观察共源共栅结构的公式,我们可以得出如下结论:
(抱歉,未完待续)