谢谢楼主
1、不少朋友一根筋的认为，天分必须发射功率大才准确，否则电磁干扰会让驻波读数虚大。
事实：只有古老的宽带检波方案的天分才会遇到这个问题。现代天分都是变频（或取样变频）以后经中频滤波，窄带检波的。外部干扰如果极大，可能阻塞第一混频器，导致驻波虚小。同频强干扰会表现为毛刺，并不影响对整体驻波状况的测量，除非发生中频馈通。因此，发射功率只要不是很小（例如：小于1微瓦），与抗干扰能力没有必然关系。抗干扰能力其实主要取决于第一混频器的压缩点和中频滤波器的选择性，当然，还有整个通道的动态范围，这与衡量超外差接收机的方法一致。
为了避免干扰别人，输出功率最好小一些。根据某些国家的法规，功率不能高于10dBm，或3dBm。
2、不少朋友坚持认为，天分经校准以后，阻抗点应该位于史密斯图的正左面或正右侧中心点。
事实：同轴连接器都有关于界面的规范。对于N型母连接器来说，界面是外导体内侧的一圈台阶，而不是芯针的结合面。对于N型公头来说，界面位于屏蔽环（不是外螺套）顶部。对于SMA连接器来说，界面位于外导体的分界面，即：公连接器在外导体（不是螺套）的顶部，母连接器在外导体内侧的台阶。
没有哪个接插件是以芯针的结合面为界面的（除了平面型连接器芯针其实和外导体共面）。
对接插件进行相位校准时，应当校准至界面。由于常用接插件的界面并不在接插件的表面，所以开路/短路时，其阻抗在史密斯图上的点，除了低频外，不在正左侧或者正右侧。如果在正左侧或者正右侧，说明校准错误。
事实：只有古老的宽带检波方案的天分才会遇到这个问题。现代天分都是变频（或取样变频）以后经中频滤波，窄带检波的。外部干扰如果极大，可能阻塞第一混频器，导致驻波虚小。同频强干扰会表现为毛刺，并不影响对整体驻波状况的测量，除非发生中频馈通。因此，发射功率只要不是很小（例如：小于1微瓦），与抗干扰能力没有必然关系。抗干扰能力其实主要取决于第一混频器的压缩点和中频滤波器的选择性，当然，还有整个通道的动态范围，这与衡量超外差接收机的方法一致。
为了避免干扰别人，输出功率最好小一些。根据某些国家的法规，功率不能高于10dBm，或3dBm。
2、不少朋友坚持认为，天分经校准以后，阻抗点应该位于史密斯图的正左面或正右侧中心点。
事实：同轴连接器都有关于界面的规范。对于N型母连接器来说，界面是外导体内侧的一圈台阶，而不是芯针的结合面。对于N型公头来说，界面位于屏蔽环（不是外螺套）顶部。对于SMA连接器来说，界面位于外导体的分界面，即：公连接器在外导体（不是螺套）的顶部，母连接器在外导体内侧的台阶。
没有哪个接插件是以芯针的结合面为界面的（除了平面型连接器芯针其实和外导体共面）。
对接插件进行相位校准时，应当校准至界面。由于常用接插件的界面并不在接插件的表面，所以开路/短路时，其阻抗在史密斯图上的点，除了低频外，不在正左侧或者正右侧。如果在正左侧或者正右侧，说明校准错误。