求教：可控硅导通后会因为电流上升率过大损坏吗？

文号t72092

2439

三水合番2015/06/21电磁炮 IP:黑龙江

对于可控硅因为导通过程中电流上升过快时发生的损坏，网上有这样的解释：如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏。
那么如果让可控硅在一个上升率极大的电流到来前导通，它还会损坏吗？

来自：物理高能技术 / 电磁炮

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~~空空如也

Ma3.02的守望

8年11个月前 IP:广东

774436

1楼

理论上不会，这就是软开，当然可控硅在完全导通的情况下要能承受这个电流。
奶酪发过软开软关的电路。
https://www.kechuang.org/t/69149

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ls.ls

8年11个月前 IP:重庆

774437

2楼

以上问题主要是电流扩散速度不够导致的，在阻抗一定的情况下你要加大电流扩散速度就要提高电压，但是可控硅的控制级电压不能过高，否则可控硅就死了

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三水合番

作者

8年11个月前 IP:黑龙江

774447

3楼

引用御坂10086:
理论上不会，这就是软开，当然可控硅在完全导通的情况下要能承受这个电流。
奶酪发过软开软关的电路。
https://www.kechuang.org/t/69149

那要想让可控硅软开，是只需要让栅极有电流通过就可以了，还是也需要让阴极和阳极之间有电流通过？

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Ma3.02的守望

8年11个月前 IP:广东

774467

4楼

只要让大电流到来前栅极导通就行，栅极导通可控硅就导通了。
硬开易损坏是因为完全导通需要时间，未完全导通时可控硅内部只有小部分导通，电流都从这小部分通过造成损坏。
而软开就是完全导通再通过电流。

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