累了明天在上传参数
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八级加速缓慢更新中
从第一级开始已经用了光开关 昨晚拍摄不清楚从发
枪管采用外5内3mm. 1级到3级用0.5mm线8层400匝 4级到8级用0.74mm线6层220匝这样 线圈长3.2cm 子弹1克，25v电压可以打加多宝一个洞，50v时可以打穿一面，100v时可以打穿两面，加到200v时，后五级25n120挂完无一幸免，加到300v触发前3级25n120全挂了 此时8个开关烧完，由此可以知道，25n120承受电流不够 我有点设计的好方案慢慢更新![0001.jpg]()
![0002.jpg]()
枪管采用外5内3mm. 1级到3级用0.5mm线8层400匝 4级到8级用0.74mm线6层220匝这样 线圈长3.2cm 子弹1克，25v电压可以打加多宝一个洞，50v时可以打穿一面，100v时可以打穿两面，加到200v时，后五级25n120挂完无一幸免，加到300v触发前3级25n120全挂了 此时8个开关烧完，由此可以知道，25n120承受电流不够 我有点设计的好方案慢慢更新
前排强力围观！[s:271][s:271][s:271]
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我的天，楼主是想做一个实用的高精度电磁狙击木仓?如此细长的木仓管和精美的做工，还有如此统一的架构设计，数据爆出之后这一定又是惊世之作！
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LZ的床看起来好像PCB板子，上面贴满了TQFP的芯片
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再有几个暴力的电容就更好了，但毕竟磁铁炮效率低，功率密度低啊，有这样的成本都可以做脉冲武器了HPM技术的电感可以集中能量
![无极电磁炮.jpg]()
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同时加速？还是逐级加速？逐级的话，怎么准确的定位“子弹”的当前位置？
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佩服琴妹那徒手1030的速度更期待楼主的速度～有100ms么
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用100伏5000uf电容8个每级一个，蓄能200焦，打穿两面加多宝，打完量余压算了一下实际消耗35焦，还有165焦没有用，还可以连发
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做工不错，话说你用mos做开关还这么小的电流当然扛不住了，你这个可关断的吗？
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引用第13楼a109972947于2013-08-11 11:39发表的 :
用100伏5000uf电容8个每级一个，蓄能200焦，打穿两面加多宝，打完量余压算了一下实际消耗35焦，还有165焦没有用，还可以连发
您可以先别管连发，请充分利用这些能量一次发射（加重炮弹，加长距离）
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回 7楼(流星街) 的帖子
还是半成品，我还在努力，我还有方案，就是用25n120来做一样可以达到很好的效果，方法是在每一级多线并绕细铜线让每跟铜线的电阻和你需要用的电压的电流在承受范围之内，3线并绕以上，这样每根线圈独立用一个25n120和一个相对小的电容，并绕越多电流承受能力越强大，只是手工复杂先，我正在考虑是否用这样的方案
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回 10楼(lread) 的帖子
你的想法我也有想过很妙，感应式的吧，期待你的成品让我们分享
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回 12楼(磁阻与电抗) 的帖子
我的理想也是破百米在努力，我用一克子弹总的消耗30多焦可以打穿两面易拉罐，要是我提高电压 改一下控制的时间，离百米也不远，经过我多次发射实验发现，我的控制电路延迟时间很小子弹还没到线圈头就放电了，因为光开关占一定的空间的，总要在线圈前面几个mm的距离，正是这样，我准备设计RC电路来延迟触发，子弹到达线圈1/4开始放电，到时候效率就高了，百分之十应该可以的吧
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回 14楼(听我说瞎话) 的帖子
可关断的，关断时测量余压往往后几级还省百分之九十电压
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回 15楼(天是蓝的) 的帖子
我利用剩下的能量，只有升高电压了，还有我追求的是速度的多而不是动能，要是我追求动能我完全可以用砖头砸烂一个锅头
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回 19楼(a109972947) 的帖子
建议更换更大电流的mos，我看你那个型号耐压挺高，达到了1200v，就是电流有些小，mos不适合高电压，低压也有提升方式比如把后级线圈加粗线径提高放电速度，相信楼至可以做出最棒的作品[s:271]
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做工真叫一个精美！
做工真叫一个精美！
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回 18楼(a109972947) 的帖子
跪求延迟电路，我采用在红外触发电路三级管CE并电容的方法在速度快的时候就不行了。
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如果楼主定位电压在200V，建议楼主试试IRGP4086 ，电流值按你描述的25n120在100V能正常工作的话，IRGP4086相同电路设计下在200V可以保证稳定工作，这个管子的耐受电流指标比25n120大了很多倍。
如果定位电压在100V，试试SGR20N40L吧，这个电压在线圈中的电流一般烧不毁芯片
我没有楼主幸运，100个25n120全部烧完的过程，没有任何一个实验让我对这个管子有信心。
如果定位电压在100V，试试SGR20N40L吧，这个电压在线圈中的电流一般烧不毁芯片
我没有楼主幸运，100个25n120全部烧完的过程，没有任何一个实验让我对这个管子有信心。
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建议调整延时的时间，后面几级明显是导磁的弹体没有靠近线圈，空心线圈通电导致电流上升率和电流绝对值过大导致芯片烧毁
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回 23楼(liunian198) 的帖子
Rc延时很简单百度就知道了不过RC用在可控硅上很方便
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回 24楼(vcasm) 的帖子
可能我要换可控硅来做开关了
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可控硅比IGBT耐超出指标的电流很多，不过做开关时延比较大，都是ms级别的，控制电路也稍微复杂了一些
其实IGBT并联做开关需要注意几点：
1、dV/dt 不能太大，否则高电压下GC级之间的结电容很容易自激烧管
2、过流保护需做好
3、驱动要有足够的功率，但需要满足第一条的逻辑
上面3点处理不好，几乎电磁炮这样的方案里面烧IGBT太容易了
其实IGBT并联做开关需要注意几点：
1、dV/dt 不能太大，否则高电压下GC级之间的结电容很容易自激烧管
2、过流保护需做好
3、驱动要有足够的功率，但需要满足第一条的逻辑
上面3点处理不好，几乎电磁炮这样的方案里面烧IGBT太容易了
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回 18楼(a109972947) 的帖子
加油吧呵呵呵呵呵呵呵呵。10个字真麻烦///
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