哈哈，多谢菊花捧场！
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放电管实验
这两天进行了放电管实验
发射管：5mmx3.5mm
线 圈：长30mm，0.9漆包线，一层30匝，4层
电 容：300v，1200uf
充电电路：RCC+BOOST
放电管：2R800
触发方式：电蚊拍电路，估计电压2000v，因为万用表量程达不到，没敢测
残压：20-30v
实验结果：可以射出，但是力度不大，只能穿单层纸箱
根据模拟软件计算：电感25uh，电流1200a，这是峰值电流，取平均值600a
又因为残压30v，LC常数5.44e-4
计算放电管损耗6.5j，电容总储能54j
不过这个放电管还是蛮耐用的，我实验了一晚上也没烧坏，因为有残压，电容不会被反向充电，我连续流二极管也没用
我以前实验的，空开，单级就可以穿铝可乐双面，这次威力小多了，不知道是线圈太小还是放电管损耗太大
晚上计划增加匝数重新进行实验，我在线圈让绕了层铁丝，发现射的倒近了，感觉反拉了
还有就是铁钉被磁化严重
后期实验数据待实验后上传，不管我这个放电管实验能否成功，我都会把这个结果发布出来，让后来者有个参考，或者触发某个大神的灵感，也算对KC电磁发射一点贡献
发射管：5mmx3.5mm
线 圈：长30mm，0.9漆包线，一层30匝，4层
电 容：300v，1200uf
充电电路：RCC+BOOST
放电管：2R800
触发方式：电蚊拍电路，估计电压2000v，因为万用表量程达不到，没敢测
残压：20-30v
实验结果：可以射出，但是力度不大，只能穿单层纸箱
根据模拟软件计算：电感25uh，电流1200a，这是峰值电流，取平均值600a
又因为残压30v，LC常数5.44e-4
计算放电管损耗6.5j，电容总储能54j
不过这个放电管还是蛮耐用的，我实验了一晚上也没烧坏，因为有残压，电容不会被反向充电，我连续流二极管也没用
我以前实验的，空开，单级就可以穿铝可乐双面，这次威力小多了，不知道是线圈太小还是放电管损耗太大
晚上计划增加匝数重新进行实验，我在线圈让绕了层铁丝，发现射的倒近了，感觉反拉了
还有就是铁钉被磁化严重
后期实验数据待实验后上传，不管我这个放电管实验能否成功，我都会把这个结果发布出来，让后来者有个参考，或者触发某个大神的灵感，也算对KC电磁发射一点贡献
在做实验的时候还发现一个现象，100v以内残压都是10v左右，200v的时候残压是20v左右，300v的时候残压是30多伏，一般放电管的残压就是电弧的电压降，只是有点奇怪，为么电压越高电压降越大
引用
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可能是介质吸收的影响，使电容快速放电时不能完全放干净。
介质吸收电容等效为电容上并联一个Rj串Cj，充电电压越高，Cj上存储的能量越大，
但由于Rj的影响不能快速放电，放电管关断后Cj会反充到C上，这样充电电压越高，
残余电压也越高。
介质吸收电容等效为电容上并联一个Rj串Cj，充电电压越高，Cj上存储的能量越大，
但由于Rj的影响不能快速放电，放电管关断后Cj会反充到C上，这样充电电压越高，
残余电压也越高。
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引用第4楼fleefly于2012-08-21 18:52发表的 :
可能是介质吸收的影响，使电容快速放电时不能完全放干净。
介质吸收电容等效为电容上并联一个Rj串Cj，充电电压越高，Cj上存储的能量越大，
但由于Rj的影响不能快速放电，放电管关断后Cj会反充到C上，这样充电电压越高，
残余电压也越高。
.......
你这个解释也有可能，要验证其实也不难，换个薄膜电容，再实验一下，对比一下残压，等我实验后，发布结果
引用
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今天用薄膜电容做了实验，50v，100v，200v，300v残压都是0v，由此证明fleefly的说法可能是正确的
当然残压为0也不能说明电弧的电压为0，因为在LC电路中，电容放电后能量储存在电感中，哪怕电流只剩一点儿，电感也能把电压抬高到很高维持放电管放电，就是说在有电感的放电管电路中，残压不是保存在电弧电压水平，而是可以把能量完全放电完毕，电解电容在开始的时候也是放电到0v，只是介质吸收中的电荷又使电容的电压恢复到了一个电压值，介质吸收效应，简单说好比水桶倒水不可能完全倒干净，在水桶壁上始终后留点儿，只是薄膜电容的介质吸收效应比电解电容的小很多，因此电压不会再恢复到0v以上
当然残压为0也不能说明电弧的电压为0，因为在LC电路中，电容放电后能量储存在电感中，哪怕电流只剩一点儿，电感也能把电压抬高到很高维持放电管放电，就是说在有电感的放电管电路中，残压不是保存在电弧电压水平，而是可以把能量完全放电完毕，电解电容在开始的时候也是放电到0v，只是介质吸收中的电荷又使电容的电压恢复到了一个电压值，介质吸收效应，简单说好比水桶倒水不可能完全倒干净，在水桶壁上始终后留点儿，只是薄膜电容的介质吸收效应比电解电容的小很多，因此电压不会再恢复到0v以上
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