参考火腿社区做的调整,重点保护CE不被击穿.缺少放电管.

查过去的资料,IGBT持续通电1MS都不会出现故障,这次可以肯定是电感参数变动导致的击穿问题.

L就是发射线圈吧？恐怕要检查下最右边那个电容的容量够不够，还有就是那个电容内部的电感是不是太大了。

另外IGBT的表示方法。。。。

用普通软件画的,IGBT表示方法不对

版主有没有解剖烧毁的IGBT？从晶片烧毁点的肉眼观察上也许能分析出烧毁原因（过流、过压、过高的di/dt或者dv/dt，栅极击穿……）从而找到对应的解决方法。

盲目加大IGBT本身的容量企图获得高的抗烧毁能力不是明智的选择。

那个D/R/C组合的缓冲电路，是抑制dv/dt的，对过压实际没有很有效的防护作用，脉冲宽度稍微大一些（能量比较高）的过电压，还是需要压敏电阻或者放电管来强制钳位。

建议：用压敏电阻来测试是否为过高的dv/dt造成损坏。

如是:则检查续流二极管和续流电容高频响应是否不好，也可直接添加适当的压敏电阻进行钳位保护。

如不是:1检查是否过大的di/dt造成igbt擎住而无法关断（一般igbt负载是纯电阻时容易出现），如是则适当降低驱动电压至15伏，或适当加大栅极电阻，或增大线圈电感。 2检查是否过高的驱动电压造成关断时间过长，而使igbt瞬间过热损坏，如是，适当降低驱动电压或加栅极负电压关断电路。 3检查是否为过高的峰值电流损坏，如是，则适当提高igbt容量或增大线圈电感量，也可更换电路驱动模式而采用斩波恒流驱动。

可以从这几方面查查:

1.驱动电路包括元件是否完好.烧IGBT也会殃及驱动,驱动电压或电流过小极不安全;

2.是否过载.在IGBT的极限单脉冲中,脉冲宽度和平均电流成近似反比关系,单方面增加脉宽或电流都会导致损坏.从图上看,主电容有3000UF,好象阿丕以前没用这么大,电压不变时,增大电容必增加平均电流;还有,减小线圈的阻抗或感抗也会增加平均电流;

3.是否过压.相对主电容,后面47UF的吸收电容真的有点可怜,偏小,可能只剩半条命了,甚至已损坏,容量要匹配才行啊,要加就得两者一起来;另外,走线也要注意,大电流环路走线面积要尽量小以降低分布电感带来的尖峰!可靠起见,可在吸收电容两端接线上并个1UF/400V的CBB电容,且尽量靠近开关元件.

这些都PASS,再烧就说不过去了;常态下,尽量能脱离压敏电阻或者放电管什么的保护,毕竟这些元件寿命有限,仅适用于偶然突发的电气事件.

封装形式T0-3P,用锤砸才能敲开.比较难从这里得到分析结论

对驱动电路响应做检查,编程设计频率10KHZ,实际为9.166KHZ,差异很小.明天调整电路后重新测试.

明天这么试一试看

看了楼上在火腿那边的帖子，佩服．

重排所有线路,核对完毕后明天发射.上图为验证单级效果而制作的实验板.未连接控制,驱动电源和工作电源.

已恢复正常,持续改进中.