IR 推出革命性GaN功率组件技术平台
International Rectifier (简称IR) 宣布成功开发革命性氮化镓 (GaN) 功率组件技术平台,能为客户改进主要特定应用的优值 (FOM) ,使其较先进硅技术平台提升最多十分之一 ,让客户在适用于运算及通讯、汽车和家电等不同市场的终端应用能够显著提升效能,并减少能源消耗。
这款开创先河的GaN功率组件技术平台,是IR经过5年的时间,基于其专有硅上GaN磊晶技术进行开发研究的成果。
IR的GaN功率组件技术平台为功率转换解决方案带来革命性的改进。这项研究因有效引进IR 60年来在不同应用,包括AC-DC功率转换、DC-DC功率转换、马达驱动、照明、高密度音效与汽车系统等功率转换方面的专业知识,使系统方案产品阵营和相关的智慧财产 (IP) 远超出先进的分立功率组件。
这款高吞吐量的150mm硅上GaN磊晶和相关的组件制造程序,能全面与IR具备成本效益的硅制造设施配合,为客户提供世界级的商业可行性GaN功率组件制造平台。
IR总裁及CEO Oleg Khaykin表示:"这种尖端的GaN技术平台和IP阵营,延续了IR于功率半导体组件的领导地位,并且引领功率转换进入新时代。这种发展正好与我们致力协助客户节省能源的核心使命一脉相承。我们相信这款新组件技术平台将会深深影响功率转换市场,就如30多年前IR推出功率HEXFET时一样。
IR将会于2008年11月11至14日在德国慕尼黑举行的Electronica展览会上,向业界领先的OEM客户展示数款崭新GaN产品平台的原型。
Khaykin续说:"我们相信这些平台的先驱采用者,将是那些能够全面从革命性价值体现能力得益的市场领域和应用范畴,使它们由此获得重要功率密度、功率转换效率和成本功能的充分效益。