真是怀念，这都什么年代了

嗯，完美结合了 半桥拓扑和boost拓扑的缺点，还引入了新的问题。其中一个问题是，线圈回收时 电流会流过前级线圈。比如线圈U4的能量在回收时设想中应该经过黑色的回路回到C4，但实际还有电流能走红色的回路途经其他线圈，这其实是不希望的

对这个问题的改进方法是给每个线圈串一个二极管，防止电流逆向流动。但说实话即使改进了 这个拓扑还是不如boost好。

怎么说呢……这个拓扑与boost拓扑相比需要使用更多的二极管，不会使接线更加简单；并且依旧存在有没有直接与地相连的开关管，不会使开关管的驱动电路更加简单。并且传统的半桥拓扑在驱动较多线圈时如果使用“矩阵开关”结构也可以大幅节省开关管数量。顺便一提，之前已经有坛友详细的讨论过拓扑结构优化的问题，可以参考这篇帖子：XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/87752

这能量，是为了回收而回收了。

对比传统半桥，没有效率上的优势。单体电容放电，内阻高。

对比boost，管子还多了几个，二极管造成的压降也高，效率也没优势。

如果按照出口动能/电容总储能计算。效率比无关断可控硅磁阻高些。

可能也就比BOOST不回收，然后线圈剩余的磁场能用电阻损耗的高些