IGTP70A1600就是70TPS16可控硅，打错字了不好意思
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620v IGBT半桥式 MCU开环控制 紧密加速线圈炮测试更新：七级已破百
又加上了两级，现在是七级。本楼后面已加上测试结果和分析，中压600v级别测试到此顺利结束，今后不再新增更多级。
准备了两个月时间，期间烧掉了一堆IGBT和驱动芯片还有MCU，终于能够稳定下来了。
阵亡“将士”一览图：
![20171219_005021.jpg]()
烧掉的IGBT、mcu、IGBT驱动芯片、快恢复二极管和一些高压电阻。
本来想做5级测试，手上管子不够了，正在快递中，等以后到了再补上5级的测试结果。
第一次做电磁炮，所以基本就是拿模拟器默认参数来用：
0.7mm线径，内径8.6mm，长度30mm320匝的线圈5个（最后一个未用），实际4级，间隔5mm亚克力板；
管材：外8.5内8.1，壁厚0.2mm的304不锈钢管；
弹丸：8*35mmA3定位销，13.8g；
MCU开环控制，IGBT半桥模式，工作电压620v-660v，根据模拟器测算的峰值电流是546.5A-581.8A。
电容：每级1450uf/700v，薄膜电容，内阻0.54mΩ，工作电压620v-660v，实测容量1440-1458uf。
IGBT: 标称600v、120a，峰值480A。实际使用因ZVS限制，最高上到660v，未烧管。
测速方式：示波器读取35mm长的弹丸通过光电的时间，根据V=L/T来计算。
线圈和弹丸情况（实际用了4级）：
![20171219_001843.jpg]()
4个30mm线圈120mm，间隔5mm，总长135mm。
控制板：随手拿的一块板子改的，利用了上面的稳压部分和MCU部分。最大的好处是4层镀金板，稳定性不错：
![20171219_020516.jpg]()
实际测试情况：
![20171219_003105_20171219010515.jpg]()
![20171219_021310.jpg]()
发射后剩余电压：252v/358v/362v/335v
由图可见在622v的情况下，35mm弹丸通过时间是456us，换算成出口速度是
v=35/0.456=76.754m/s。
e=(35/0.456)^2*0.0138/2=40.65J
充能：1122J，剩余：315.55J，耗能：806.45J，综合效率：40.65/806.45=5.04%
视频比较和谐，就不发了。
***********************************************************************************
周一订的芯片终于到了，赶紧装上测试，优化了第五级的定时时间后，600v时的情况如下：
![20171221_151736.jpg]()
一般在406-412us之间，平均按408us计算；
这样出口速度和动能的情况为：
v = 35/0.408 = 85.784m/s；
e = (35/0.408)^2*0.0138/2 = 50.776J。
剩余电压：237v，347v，348v，324v，323v；
充能：1305J，剩余：367.56J，耗能：937.44J，
能效：50.77/937.44 = 5.416%
目前线圈+隔板总长为：30*5+5*6 = 180mm。
五级的出速情况如下：
第一级平均速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
第五级平均速度：85.78m/s，50.77J，ΔE=10.48J，平均加速度24529.82
加速度确实可以保持在24000以上，还稍有提升。
这个加速度是否可持续是我最关心的一点
效率分析：
5级600v时的理论上限值：
![image.png]()
5级600v时的实测平均值：
v = 35/0.408 = 85.784m/s
效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
以上分析表明了单片机+紧密型拓扑模式的可行性，同时也表明了线圈炮还能以很高的效率在较短的距离内实现高速度，特别重要的是在目前看来这样的加速度还是可持续的。而一旦线圈炮的这种高效拓扑模式被更多的人证实，那它的高效率、低损耗、基本免维护、无光、无声、极低的电磁辐射、可定向性等特性就会成为它极大的优势，绝不会仅仅只是个玩具。
**************************************************************************************
绕线圈什么的太累人，所以本来想这次实验做到5级就结束，但是看着数据又很心痒难耐，很想知道这样的加速度是否还能持续。再按目前的加速度情况计算了一下，如果还能持续的话7级速度能上百，比我计划的8级破百还少一级。正好这次买了7个电容，一咬牙还是把剩下那两个都拿出来堆上去，这就是所谓的“堆储能”吧。
先把控制板从五路改成七路。实在是没位置了，只能割铜箔再走飞线挤挤了。6mil（0.152mm）的线上动刀子加飞线。。。万幸这样细的线只要处理两条，别的就粗犷多了。
![20171224_234628.jpg]()
板子改完再绕线圈，“工欲善其事，必先利其器”：
![20171223_185109.jpg]()
![20171223_230848.jpg]()
开始“堆”电容：
![20171227_014858(0).jpg]()
7个1.9kg的巨无霸，总重13.3kg，加木板的底座和线圈，估计会上30斤，我表示搬不动了。。
不过好处是这么沉的几个大家伙压阵，测试的时候挺稳的。
相比之下，线圈小的可怜：
![20171227_014440.jpg]()
黑压压的电容堆，一种压迫感油然而生。。。
搞定这一切花了我几天的时间，马上开始调试第六级和第七级。充能太狠了，一个7AH的电瓶明显不够用。
660v电压在做六级极限测试的时候上去过一次，为了测试最大反峰时候的可靠性，选择了的空载放电，安全通过。之后电瓶电压不够ZVS就上不去了，只能上到610-630左右。
610v下七级的最小时间值：
![20171227_010946.jpg]()
常见的时间值：
![20171227_010220.jpg]()
基本在342-346us之间，评估时按344us算。
出口速度和动能的情况为：
v = 35/0.344 = 101.74m/s；
e = (35/0.344)^2*0.0138/2 = 71.43J。
剩余电压： 262v，366v，370v，349v，364v，359v，363v
七级610v充能：1888.40J，剩余：619.47J，耗能：1268.93J
能效：71.43/1268.93 = 5.629%
跟5级时的能效相比有些微的提升。
7级610v的理论上限值：
![image.png]()
7级610v时的实测平均值：101.74m/s
归一化效益： 101.74/177.64 = 57.27%
比五级时稍有下降，可能跟五级时上限值是按600v时的电流计算，实际测试时电压在600v-620v之间不定有关，本次实际测试时基本都控制在了610v。
七级的出速情况如下：
第一级平均速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
第五级平均速度：85.78m/s，50.77J，ΔE=10.48J，平均加速度24529.82
第六级平均速度：94.08m/s，61.08J，ΔE=10.31J，平均加速度24589.38
第七级平均速度：101.74m/s，71.43J，ΔE=10.35J，平均加速度24647.33
动能继续在平稳增长、加速度继续稳定在24000以上。
目前线圈+隔板的总长度是： 30*7+5*8=250mm
直径8mm的定位销截面积0.5cm^2，按单位面积算为142.86J/cm^2；按体积计算是1.76cm^3，体积能量密度为40.6J/cm^3。
通过对国内外电磁加速器现状和实现方案的广泛收集和分析，结合理论推导和比较，精心选择出“600v级中压、IGBT半桥式”作为电磁炮模型的方案，再加上仔细的制作和调试，也感谢科创论坛的前辈们和先行者们积累的不少富有实践经验和理论推导的帖子，特别是“三水合番”提出的不少理论都很有参考和指导意义，所以作为刚接触电磁炮的新人才能顺利地在本次测试中取得了意料之外、但也是情理之中的成功，同时也收获了很多宝贵的知识和经验。我想我的600v级别的磁阻线圈加速器测试可以到此结束，终于可以轻松一下了。
题外话：在五级85m/s出速、50J的情况下，即使使用的是平头销，我手头1.5cm厚的木板也就跟豆腐一样。。。所以，在101m/s出速、71J下，真的是太不和谐了，得赶紧拆了。。。
准备了两个月时间，期间烧掉了一堆IGBT和驱动芯片还有MCU，终于能够稳定下来了。
阵亡“将士”一览图：
烧掉的IGBT、mcu、IGBT驱动芯片、快恢复二极管和一些高压电阻。
本来想做5级测试，手上管子不够了，正在快递中，等以后到了再补上5级的测试结果。
第一次做电磁炮，所以基本就是拿模拟器默认参数来用：
0.7mm线径，内径8.6mm，长度30mm320匝的线圈5个（最后一个未用），实际4级，间隔5mm亚克力板；
管材：外8.5内8.1，壁厚0.2mm的304不锈钢管；
弹丸：8*35mmA3定位销，13.8g；
MCU开环控制，IGBT半桥模式，工作电压620v-660v，根据模拟器测算的峰值电流是546.5A-581.8A。
电容：每级1450uf/700v，薄膜电容，内阻0.54mΩ，工作电压620v-660v，实测容量1440-1458uf。
IGBT: 标称600v、120a，峰值480A。实际使用因ZVS限制，最高上到660v，未烧管。
测速方式：示波器读取35mm长的弹丸通过光电的时间，根据V=L/T来计算。
线圈和弹丸情况（实际用了4级）：
4个30mm线圈120mm，间隔5mm，总长135mm。
控制板：随手拿的一块板子改的，利用了上面的稳压部分和MCU部分。最大的好处是4层镀金板，稳定性不错：
实际测试情况：
发射后剩余电压：252v/358v/362v/335v
由图可见在622v的情况下，35mm弹丸通过时间是456us，换算成出口速度是
v=35/0.456=76.754m/s。
e=(35/0.456)^2*0.0138/2=40.65J
充能：1122J，剩余：315.55J，耗能：806.45J，综合效率：40.65/806.45=5.04%
视频比较和谐，就不发了。
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周一订的芯片终于到了，赶紧装上测试，优化了第五级的定时时间后，600v时的情况如下：
一般在406-412us之间，平均按408us计算；
这样出口速度和动能的情况为：
v = 35/0.408 = 85.784m/s；
e = (35/0.408)^2*0.0138/2 = 50.776J。
剩余电压：237v，347v，348v，324v，323v；
充能：1305J，剩余：367.56J，耗能：937.44J，
能效：50.77/937.44 = 5.416%
目前线圈+隔板总长为：30*5+5*6 = 180mm。
五级的出速情况如下：
第一级平均速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
第五级平均速度：85.78m/s，50.77J，ΔE=10.48J，平均加速度24529.82
加速度确实可以保持在24000以上，还稍有提升。
这个加速度是否可持续是我最关心的一点
效率分析：
5级600v时的理论上限值：
5级600v时的实测平均值：
v = 35/0.408 = 85.784m/s
效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
以上分析表明了单片机+紧密型拓扑模式的可行性，同时也表明了线圈炮还能以很高的效率在较短的距离内实现高速度，特别重要的是在目前看来这样的加速度还是可持续的。而一旦线圈炮的这种高效拓扑模式被更多的人证实，那它的高效率、低损耗、基本免维护、无光、无声、极低的电磁辐射、可定向性等特性就会成为它极大的优势，绝不会仅仅只是个玩具。
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绕线圈什么的太累人，所以本来想这次实验做到5级就结束，但是看着数据又很心痒难耐，很想知道这样的加速度是否还能持续。再按目前的加速度情况计算了一下，如果还能持续的话7级速度能上百，比我计划的8级破百还少一级。正好这次买了7个电容，一咬牙还是把剩下那两个都拿出来堆上去，这就是所谓的“堆储能”吧。
先把控制板从五路改成七路。实在是没位置了，只能割铜箔再走飞线挤挤了。6mil（0.152mm）的线上动刀子加飞线。。。万幸这样细的线只要处理两条，别的就粗犷多了。
板子改完再绕线圈，“工欲善其事，必先利其器”：
开始“堆”电容：
7个1.9kg的巨无霸，总重13.3kg，加木板的底座和线圈，估计会上30斤，我表示搬不动了。。
不过好处是这么沉的几个大家伙压阵，测试的时候挺稳的。
相比之下，线圈小的可怜：
黑压压的电容堆，一种压迫感油然而生。。。
搞定这一切花了我几天的时间，马上开始调试第六级和第七级。充能太狠了，一个7AH的电瓶明显不够用。
660v电压在做六级极限测试的时候上去过一次，为了测试最大反峰时候的可靠性，选择了的空载放电，安全通过。之后电瓶电压不够ZVS就上不去了，只能上到610-630左右。
610v下七级的最小时间值：
常见的时间值：
基本在342-346us之间，评估时按344us算。
出口速度和动能的情况为：
v = 35/0.344 = 101.74m/s；
e = (35/0.344)^2*0.0138/2 = 71.43J。
剩余电压： 262v，366v，370v，349v，364v，359v，363v
七级610v充能：1888.40J，剩余：619.47J，耗能：1268.93J
能效：71.43/1268.93 = 5.629%
跟5级时的能效相比有些微的提升。
7级610v的理论上限值：
7级610v时的实测平均值：101.74m/s
归一化效益： 101.74/177.64 = 57.27%
比五级时稍有下降，可能跟五级时上限值是按600v时的电流计算，实际测试时电压在600v-620v之间不定有关，本次实际测试时基本都控制在了610v。
七级的出速情况如下：
第一级平均速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
第五级平均速度：85.78m/s，50.77J，ΔE=10.48J，平均加速度24529.82
第六级平均速度：94.08m/s，61.08J，ΔE=10.31J，平均加速度24589.38
第七级平均速度：101.74m/s，71.43J，ΔE=10.35J，平均加速度24647.33
动能继续在平稳增长、加速度继续稳定在24000以上。
目前线圈+隔板的总长度是： 30*7+5*8=250mm
直径8mm的定位销截面积0.5cm^2，按单位面积算为142.86J/cm^2；按体积计算是1.76cm^3，体积能量密度为40.6J/cm^3。
通过对国内外电磁加速器现状和实现方案的广泛收集和分析，结合理论推导和比较，精心选择出“600v级中压、IGBT半桥式”作为电磁炮模型的方案，再加上仔细的制作和调试，也感谢科创论坛的前辈们和先行者们积累的不少富有实践经验和理论推导的帖子，特别是“三水合番”提出的不少理论都很有参考和指导意义，所以作为刚接触电磁炮的新人才能顺利地在本次测试中取得了意料之外、但也是情理之中的成功，同时也收获了很多宝贵的知识和经验。我想我的600v级别的磁阻线圈加速器测试可以到此结束，终于可以轻松一下了。
题外话：在五级85m/s出速、50J的情况下，即使使用的是平头销，我手头1.5cm厚的木板也就跟豆腐一样。。。所以，在101m/s出速、71J下，真的是太不和谐了，得赶紧拆了。。。
[修改于 7年0个月前 - 2017/12/30 15:06:15]
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引用 kuang998:哦，你说的是SCR，看到“IGTP管”我以为你说的是IGBT。我没用过，不过在有快恢复的情况下，看网上在用这个比较多的欧阳鑫的设计好像也没特殊处理，450v用着挺安全的，还说上到过520v。毕竟是1600v耐压的管子，不烧才是正常的。我觉得可能还是别的地方的原因，比如你的连线是不是太长太细了？电容内阻是不是太大了？二极管是并在线圈旁还是SCR旁？做家电维修应该有示波器的吧？建议仔细查一下把原因找出来。
IGTP70A1600就是70TPS16可控硅， 是每级2个1000uf，速度和动能没有工具测试，也不懂
引用
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引用 iSee:你画PCB有难度吧，整这么多没用的，，，，，，你这是1000A电流在PCB铜箔上走，不烧才怪引用 3DA502:这是沉金工艺的四层阻抗板，内部都是大片的电源和地平面，本身是用于16路1.458G差分信号处理，电源和地的稳定性非常好。所以随手拿来用不用太担心，只是可惜的是装5个驱动就不太有位置了。这次只是积累一些经验和数据，为今后可能上更高电压打些基础，不然PCB打样再多次都没用，可能还是要烧一堆管子
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了
引用
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引用 3DA502:你错了，在嵌入式的研发部里只要不是要求特别高的模拟类小信号或高频阻抗板，可以说任何一个合格的硬件工程师都可以随手画板子，这是基本功了。SCH、PCB、C51、ARM、X86、CPLD、FPGA我全做过并且一直在一线做研发。模拟和数字视频处理、步进控制也都是强项，只是一直在做的都是30v以内的低压电路和程序，高压没做过罢了，所以这次才有兴趣想做一下试试。控制板的那块板子因为DDR3对走线要求比较高，所以整个设计、编程包括画PCB都是我一手做的；测速的那块板子除了不是我画的板子别的原理设计、MCU和CPLD都是自己编的程，所以我要画个图、改个线、编个程那是太容易不过的事情了，根本不值得一提。引用 iSee:你画PCB有难度吧，整这么多没用的，，，，，，你这是1000A电流在PCB铜箔上走，不烧才怪引用 3DA502:这是沉金工艺的四层阻抗板，内部都是大片的电源和地平面，本身是用于16路1.458G差分信号处理，电源和地的稳定性非常好。所以随手拿来用不用太担心，只是可惜的是装5个驱动就不太有位置了。这次只是积累一些经验和数据，为今后可能上更高电压打些基础，不然PCB打样再多次都没用，可能还是要烧一堆管子
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了
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引用 3DA502:你说1000A电流在PCB上走？这是控制板，是有几条线的电压会高于600v，但那只是控制信号罢了，基本没电流。引用 iSee:你画PCB有难度吧，整这么多没用的，，，，，，你这是1000A电流在PCB铜箔上走，不烧才怪引用 3DA502:这是沉金工艺的四层阻抗板，内部都是大片的电源和地平面，本身是用于16路1.458G差分信号处理，电源和地的稳定性非常好。所以随手拿来用不用太担心，只是可惜的是装5个驱动就不太有位置了。这次只是积累一些经验和数据，为今后可能上更高电压打些基础，不然PCB打样再多次都没用，可能还是要烧一堆管子
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了
引用
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话说，楼主开始的时候阵亡了那么多IGBT，但是后来就不再烧管了，是哪些地方作了改进？
引用
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引用 三水合番:有很多方面的原因，连线远了或细了会烧管子、虚焊或接触电阻太大会烧管子、二极管击穿会烧管子、余电太多会烧管子、变压器效应太强会烧管子、栅极电压或栅极电阻不合适会烧管子、手不稳表笔乱碰也会烧管子。。。现在真是烧出经验来了
话说，楼主开始的时候阵亡了那么多IGBT，但是后来就不再烧管了，是哪些地方作了改进？
引用
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引用 iSee:貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。
引用
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引用 三水合番:恩，我是在回莱特的时候说了“只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的”。串联电解的话我比较担心的是一个是需要均压，另一个是电解在高压时漏电也会比较大，如果再加均压电阻的话这么多级、总的又这么大的储能，功率损耗会比较大，估计我手上这么小的ZVS会很吃力，充不上去了。另外现在一级的储能按660v1450uf算要315J以上，要保留些耐压裕量的话330v的电解不够用，400v以上的闪光灯电容容量都不多，搭一级这样的储能估计要400v的8-10个，体积也不算小了，还要考虑温度系数的影响，寿命上更是不用比了，我用的这个标称寿命是大于20万小时。。。引用 iSee:貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。
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引用 iSee:你都把600V的IGBT超到660了，害怕把330V的闪光灯电容超到350嘛引用 三水合番:恩，我是在回莱特的时候说了“只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的”。串联电解的话我比较担心的是一个是需要均压，另一个是电解在高压时漏电也会比较大，如果再加均压电阻的话这么多级、总的又这么大的储能，功率损耗会比较大，估计我手上这么小的ZVS会很吃力，充不上去了。另外现在一级的储能按660v1450uf算要315J以上，要保留些耐压裕量的话330v的电解不够用，400v以上的闪光灯电容容量都不多，搭一级这样的储能估计要400v的8-10个，体积也不算小了，还要考虑温度系数的影响，寿命上更是不用比了，我用的这个标称寿命是大于20万小时。。。引用 iSee:貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。
不想超压的话，闪光灯电容还有一个常见的360V
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引用 三水合番:根据多年半导体芯片的使用经验，IGBT超压10%不烧才是正常的。电容关键是两个串联，内阻并不一致，温度系数也不会完全一致，这样随着充放电发热后电容上的电压偏差的会比较大，要是炸起来这电容会吓死人的，所以要用的话裕量必须得取得比较大才行。还有什么高仿、套皮电容什么的，低于400v真不敢用啊。引用 iSee:你都把600V的IGBT超到660了，害怕把330V的闪光灯电容超到350嘛引用 三水合番:恩，我是在回莱特的时候说了“只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的”。串联电解的话我比较担心的是一个是需要均压，另一个是电解在高压时漏电也会比较大，如果再加均压电阻的话这么多级、总的又这么大的储能，功率损耗会比较大，估计我手上这么小的ZVS会很吃力，充不上去了。另外现在一级的储能按660v1450uf算要315J以上，要保留些耐压裕量的话330v的电解不够用，400v以上的闪光灯电容容量都不多，搭一级这样的储能估计要400v的8-10个，体积也不算小了，还要考虑温度系数的影响，寿命上更是不用比了，我用的这个标称寿命是大于20万小时。。。引用 iSee:貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。
不想超压的话，闪光灯电容还有一个常见的360V
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买了一根8mm的DT4C电工纯铁棒，截成35mm长的做测试，电压控制在610v-615v，单级开始调起。在3级以下的时候效果还明显，大概有4-5%左右的提高；四级以上的效果就不明显了，7级最终只能提高2%左右。总体感觉性价比不高，还是A3定位销划算些。
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引用 iSee:2%的变化…这测量精度还挺高的嘛
买了一根8mm的DT4C电工纯铁棒，截成35mm长的做测试，电压控制在610v-615v，单级开始调起。在3级以下的时候效果还明显，大概有4-5%左右的提高；四级以上的效果就不明显了，7级最终只能提高2%左右。总体感觉性价比不高，还是A3定位销划算些。
可以确定是材料带来的变化吗？能排除比如气温变化，弹丸形状差别，热处理等产生的影响吗？
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引用 三水合番:确定是材料带来的变化，因为低速时提速效果明显；在调试时有时换A3定位销，在相同电压值和定时值下也区别明显。因为这次测试我换了12v18A的开关电源做低压电源，所以ZVS输出电压也比较稳。随着线圈温度上升，输出速度会下降，因此每次测试间隔都特意拉长了。总体来说如果能控制住线圈温升和电压影响的话，单片机的控制方式可重复性相当好，35mm长度弹丸的通过时间在50us刻度上误差不超过2us，经常是0误差；而不同材质的弹丸在100米以上速度时差距会有6-8us，两者区别相当明显。引用 iSee:2%的变化…这测量精度还挺高的嘛
买了一根8mm的DT4C电工纯铁棒，截成35mm长的做测试，电压控制在610v-615v，单级开始调起。在3级以下的时候效果还明显，大概有4-5%左右的提高；四级以上的效果就不明显了，7级最终只能提高2%左右。总体感觉性价比不高，还是A3定位销划算些。
可以确定是材料带来的变化吗？能排除比如气温变化，弹丸形状差别，热处理等产生的影响吗？
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找到一篇介绍：
电磁纯铁纯度在99.5％以上，作为软磁材料使用的工业纯铁，又称阿姆科(Armco)铁。工业纯铁中电磁纯铁用量最大， 约占80％。纯铁具有良好的软磁性，饱和磁感应强度高(2.16T)，矫顽力Hc 低，磁导率μ 和磁感应强度B 高，机械性能因其纯度和晶粒的大小的不同而有很大差别。其大致如下：
抗拉强度σb=176-274MPa，断面收缩率ψ=70%-80%， 屈服强度σ0.2=98-166MPa，冲击韧性αk=160-200J/cm 平方，延伸率δ=30%-50%，硬度HBS=50-80；故其强度、硬度、弹性系数均比电解铁高，但塑性则较低。在860~1050℃有热脆性，热加工时应特别注意，最好避开这一脆性温度范围， 力学性能不受热处理的影响。车、铣加工加工性和焊接性好， 制造工艺简单，成本低。由于电阻率低(10~12μΩ·cm)，铁损高，用于制造直流下使用的电器元件常用的牌号有DT3、DT4、DT4A、DT4E、DT4C。
电磁纯铁纯度在99.5％以上，作为软磁材料使用的工业纯铁，又称阿姆科(Armco)铁。工业纯铁中电磁纯铁用量最大， 约占80％。纯铁具有良好的软磁性，饱和磁感应强度高(2.16T)，矫顽力Hc 低，磁导率μ 和磁感应强度B 高，机械性能因其纯度和晶粒的大小的不同而有很大差别。其大致如下：
抗拉强度σb=176-274MPa，断面收缩率ψ=70%-80%， 屈服强度σ0.2=98-166MPa，冲击韧性αk=160-200J/cm 平方，延伸率δ=30%-50%，硬度HBS=50-80；故其强度、硬度、弹性系数均比电解铁高，但塑性则较低。在860~1050℃有热脆性，热加工时应特别注意，最好避开这一脆性温度范围， 力学性能不受热处理的影响。车、铣加工加工性和焊接性好， 制造工艺简单，成本低。由于电阻率低(10~12μΩ·cm)，铁损高，用于制造直流下使用的电器元件常用的牌号有DT3、DT4、DT4A、DT4E、DT4C。
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其中提到了电磁纯铁“饱和磁感应强度高(2.16T)”，所以模拟器里“饱和磁导”的默认值应该就是根据“电磁纯铁”来设置的初值。
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