MOS管子栅极和源极之间接电阻没有?IRFP450肯定不能用的,通流能力太弱,才几十安,四只并联也没用,MOS管子的脉冲电流耐量为额定电流的3倍左右,这样总通流容量才300多安,肯定会烧的,IGBT的通流容量就大些,多并几个就不会烧.

可控硅就不同了,普通单向可控硅脉冲电流可以达到原来的15倍~20倍,两个25A的可控硅,瞬间通流容量就是1000A,所以我敢用3000uf/400V电容,只用两个25A/800V可控硅并联,试验多次,效果良好,可以击穿一块三夹板.

针对ahzds实验问题的部分解释：

１.目前的电磁枪尚在实验和改良中，烧管是必须的也是不可避免的，改良方面虽然有进展，但是还没有达到可以提供给大家参考的程度，因为很多问题要反复确认．不然做事就是半瓶醋．

２.ＩＧＢＴ的控制电压低于１５Ｖ是无法承担大电流的，即使像Ｇ８０Ｎ６０这样的管子，能承受２００Ａ的电流，也是标明为瞬态

３.线圈和电容选择要适当，线圈保证绕数在３００左右，电容电压４００Ｖ以下，能量１００-２００焦耳就可以了，具体的参数关系仍然在摸索，老外的东西不是全抄的．

４.电磁枪是一种精密的电子装置，所以你的设计和布局都有很大的影响，千万不可以心急．

５.我的ＱＱ号是：２５１６８５７３６

６.支持ＨＫ００７的分析

７.一般情况下，子弹与线圈等长，发射时子弹的１／３进入线圈

你的线圈是怎样的?

另,SCR并联控制级用不用各串一只电阻用于均流?

我买不到单向塑封的大电流SCR,用了两个BTA41.600B,大概射了二十几次,其中一只击穿了,敲开看,核芯都成玻璃状态了,明显过流....

谢谢！

建议把大家试验中的教训贴出来，以避免大家犯同样的错误，尤其是像我那样的低级错误，以减小损失！

关于“ＩＧＢＴ的控制电压低于１５Ｖ是无法承担大电流的”，我没有理解，是不是控制电压不能小于15v?（datasheet里标称的是20v）小于15v的时候，是不是导通不够深，大电流的情况下，结温剧增，从而损坏？

做了几天试验，总结一下教训：

1。国外的实验视频效果令人羡慕，但大多是不计成本的，看看那个打串电话黄页本的实验里像水桶一样的几个巨型电容就知道了！我们业余条件下，想到达那样的速度几乎不可能！我昨天晚上把调整到最佳位置（试验条件：电压35v，电容10万u，线圈长52mm，内径9mm，0.5mm的线双线并绕大约300圈，电感270uh,Q=2。7）和延时（放电10.8ms）的装置对天花板垂直发射，以估算出口即时速度，线圈口距天板3米,子弹撞向天花板时，力道明显不够。估计也就能飞个5米高，出口即时速度最多也就是9-10米/秒；

2。看了坛子里的一篇关于大功率管子极限试验的论文，文中说，igbt极限承受功率是16倍额定功率，极限承受电流为三倍，但是没有对感性负载的反峰电压和极限击穿电压做分析。试验下来，我判断损失的5个管子里有四个是由于过电压击穿导致的，因为损坏以后，管子不热！

3。要想继续提高，在小体积低成本的前提下，多级驱动是必需的！但要达到手枪子弹那样的速度，还为时尚早，期待更好的材料和技术！我现在要做的是在保证电感量的前提下，尽量提高q值，增大线径，降低线阻，以期在低压条件下获得尽量大的电流！

因为功率过大而造成管子过热损坏的情形在电磁武器中不多见，只要满足基本的设计规范（比如上面说到的触发电压），倒是多见于电力电子装置中。电磁枪中的管子损坏，一般是过电压或者过电压变化率造成的。电磁枪负载通常为大电容、大电感，在电流快速变化时容易产生电压冲击，当负荷不匹配的时候，电流反击也会造成较高的驻点电压，必须采取一些保护措施。选择功率开关管一般应做到工作电压的10倍左右，容易过亚的引脚之间，可以并联合适规格的气体放电管。

我用的是1000uf/400V电解电容两个并联,可控硅用的是T2513NH,TO220封装,查手册说是12.5A/800V,看原厂的说明又是25A/800V,我都晕了[em06],可控硅用的两个并联,为了省事三个电极直接并联,没加均流措施,不过也没什么事.发射线圈内径8mm,长30mm,用0.7mm线绕350圈,直流电阻约0.5~1欧(我的万用表测1欧以下电阻不准),电感700uH

弹丸用的直径7mm的钢棒,长50mm左右,前端磨尖.

已经发射了100多次了,完全正常,5mm的木质三夹板(比一般木头硬)可穿透.

3000uf只试过几次就没试,怕把可控硅烧了.

有一点要注意,我的可控硅上反向并联了一个超快恢复的大电流二极管MUR10120E,起反压箝位作用,

线圈两端接了一个391V的压敏电阻.

我在三个月前单个线圈的实验数据：

线径 0.62mm，线圈匝数 300，直径 34mm,长度 12mm，内孔直径 0.7，电感量 660uH,内阻 0.8欧，工作电压 400V，工作电流170A（恒流驱动）；弹丸直径4mm,长度20mm；最高射速31m/s，开通时间1.6mS；

更早前的实验数据：

线径 1mm，线圈匝数 300，直径 30mm,长度 40mm，内孔直径 0.6，电感量 280uH,内阻 0.4欧，工作电压 200V，工作电流150A（恒流驱动）；弹丸直径4mm,长度20mm；最高射速24m/s，开通时间2.2mS；

弹丸的最终能量从哪里来的呢？应该是从弹丸过线圈中点之前和之后的两个场能差中得到的，场能是场强与时间的积分；所以弹丸在将要进入线圈时，线圈上要快速建立磁场，在快过线圈中点时要快速撤除磁场，这个撤除速率越快越好，特别在弹丸速度较高时，当然，难点也在此，使用IGBT就是为了对付这个问题。

对于 ahzds的实验中的烧管问题我想肯定不是过流造成的，电压才70V，就算一直导通也不会（线圈内阻已限流）；IGBT在感性电路中工作时肯定是要加过压保护的，一般都是靠二极管钳位，大电流和长距离传输中还要加阻容吸收，不过电磁Q中不能简单地把二极管直接加在线圈两端，那样IGBT就跟SCR差不多了，工作中IGBT虽然关断了，但二极管却把锁线圈中磁场锁住，使磁场无法快速撤除,那个二极管至少要串个电阻才行，阻值在1~3欧左右，功率最好要两瓦以上，不然瞬间烧断电阻，IGBT也OVER了；为安全起见，最好还要在IGBT两端加上阻容吸收（2.2欧/1W电阻 串 0.22uF/600V的CBB电容）。

对于 ahzds的实验中弹丸速度慢的问题，我想有两个原因：1.电容电压太低，无法在线圈中建立强磁场，且建场太慢；2.线圈的场能撤除太慢；

我跑了几个地方都没买到G80N60这个大电流管，上面的实验都是用60A以下的管子做的，买到的XD更要好好利用啊~

忘了说明，在第一次试验后的所有试验中，线圈和管子的c\\e两端我都并上了fr307肖特基快恢复二极管，从datasheet上看，应该能满足要求。主要技术参数如下：1000v/3a,恢复时间最大500ns，最小150ns，瞬间最大承受电流150a，结电容60pf.

之所以没有提高电压，主要是基于安全方面的考虑，在没有把握之前，降低电压可有效防止意外发生，比如子弹倒串、烧管子、电击等等。另外，我暂时没有大容量的高压电容，只是暂时把我电子管功放上面的两个电容拆下来用了一下，另外又拆了一个坏的显示器上的电容，都是270u，容量太小。

关于速度慢的主要原因我想可能是电压太低，建场太慢的原因，从公布的开通时间来看，我用的时间最长，就能说明问题了！我是从400us的延时一点点加上来的，用了4个按键，每个增加400us，循环试验，最终找到效果最好的时间。至于关断，到底多少时间，我没办法测量，但从试验的现象看，不大像，因为关断时间太慢的话，子弹有可能来回串动或反弹，而且，我是从最小的开通时间来一步一步试验的，应该第一次出现力度最大的延时就是最合适的开通时间。再说，我用的是igbt，关断时间不至于太差！

谁能建个群就好了，在群里即时讨论比在bbs上讨论要好一些。我根据收集到的资料和自己的实验结果，画了一个完整的电路原理图，想让大家帮忙分析一下有没有漏洞和不合理的地方。

今天被同事提醒，私自研究武器是犯法的，我不知道是不是这样。所以建议大家以后讨论里不要出现“枪”、子弹之类的字眼，我们以后只说是磁动力装置，以免引起不必要的麻烦。

呵呵,在天朝搞这个是要注意啊,咱们其实都是在玩火,虽说这玩意目前在法律上没有明文说明,但天朝的法律各位也是知道的,规定上虽然没有明确说电磁的东西算Q,但是那个\"等\"字就把什么都包括进去了,到时候还不是ZF说了算![em05][em05][em05]

以后还是说电磁发射器,磁动力什么的安全些,大家也要小心了.

坛子上很多东西在BAIDU上随便都能搜出来,建议坛子把一些敏感字符过滤,像Q,ZHA,什么的用拼音代替.

我们这电磁Q威力小着那，只能算玩具Q，应该不构成犯法吧；不过心里总还是怕怕的，以致现在都没动力做了

群早就有了,群号在\"电磁枪制作日记\"里,我后天休息,那时可以上QQ将群号发给你

目前,电磁枪威力低于公安的杀伤标准.所以个人认为不用太在意,而且换其他名称的话反而似乎隐藏着什么,哈哈.

qq群我已经找到，谢谢！

关于威力以下的内容，说明你刚刚走进社会，明显社会经验不足，这种事不是以你的标准来判断过不过火的！

我的一个关于无线电方面的技术性的网站运行了5年，前一段时间被公安部给查封了，就是因为一个网友转了浙江女教师的帖子，导致整个服务器被关一周，当事人、我和主要斑竹都被网警支队给叫去留了案底，还要罚款6万（找朋友给摆平了！）。所以这种事，基本上是没有理由的，千万不要存侥幸心理！摊到谁的头上，都是够喝一壶的！！

过去经常做更危险的实验,一直没有人管,所以现在散漫惯了.以后会注意的,谢谢大家的提醒.

电磁枪从诞生的时候就是以大威力的头衔出现,所以要向国家相关部门解释似乎不会太顺利.但是如果我们将名称更改,那么可能让后续的很多朋友与之擦肩而过,所以更改名称应该要比较合适,大家有好主意的话,尽管提.不方便直接讨论的东西,可以QQ联系.

补充一下当前的进展状况:

预计在11月结束前可以进行多次实验,目前缺乏的关键部件为\"充电电池\",全部电路已经焊接完毕.因为大学频繁实验的缘故,已经报废了12V铅酸电池和6V铅酸电池多个.刚在苏州找到对应的销售地点.

电磁枪本身就是双刃剑,所以军用和民用都有比较大的发展空间,我比较偏向军用方面,因为达到军用的级别意味着民用的问题已经解决了很多,可能有欠考虑的地方吧.比如首要问题就是威力提升困难.

同意此观点！大家的血都是热的，相信都有一颗爱国心，走曲线兴国道路或许是变通的办法！以后就说研究磁动力加速装置！

明白了,我的线圈才42uH,电容却用了5600uF.....

能否用易拉罐试试威力,木板强度不好确定,我的是刚好上下穿,感觉弹头磁饱合了,很难再提高.

我做的电磁Q参数

充电和控制部分都没有画,这两部分和国外的差不多.

还有一些可以改进的地方,可以加入能量回收电路,虽然用SCR做的能量回收不会很理想,但是回收1/4~1/3的能量还是没问题的.

能量回收设想:

能量回收线圈可以用细一些的线绕,绕在主线圈外面,圈数和主线圈相同.

PS:磁阻式的速度想提高到100M/S估计不太可能,即使可能体积也太大了,主要是磁阻式的效率太低,才3%,现在把SCR换成IGBT也只是可以多回收一些能量,间接的提高能量利用率,现在这么多人在研究磁阻式的,为什么没人研究感应式的?

简易的感应式的结构和磁阻式的是一样的,几乎不用改装,只是弹丸结构有区别,用非磁质弹丸,在弹丸上缠绕线圈,线圈头尾连接,发射时将弹丸放在线圈中点靠前一点的位置,利用斥力的作用发射弹丸.

弹丸可以用铝制造,线圈圈数根据计算和实验确定.缠绕线圈是必要的,我曾经直接用铝弹放在中点靠前一点的位置,结果没有发射出去,那时我还以为这种结构不行,现在想来应该是没缠绕线圈,铝弹只相当于一匝线圈,结果感应的电压太小,导致电流太小,斥力太小.

以前看到GOLDCYD说他做了一个简易感应式的,发射铝弹,所以会有此想法,现在怎么没见他了?[em10]

这个实验我做过，效果差不太多。我是在原来所用的螺丝刀杆上缠了一层线圈（多层太粗，无法通过原来的线圈），首尾相连。当时，只是按照原来的位置和方式发射，没有往下继续深入。今天晚上如果有空，再试一下不同位置、不同材料、不同的缠绕方向，看看有多少的提高！

2006.11.14

实验:验证装置工作的可靠性

实验准备:

1.充电部分确认

2.弹丸位置确认

3.电路再确认

4.电路固定与调整

5.试发射

实验效果:

实验次数>20次

电容组:250V 470UF*8(实际充电稳定电压231V)

发射后残电压:8-14V

刚开始将通断电时间调整为:2666US,弹丸反应迟缓,仅在王老吉上打出凹痕.分析电压认为通电时间太长.后将时间调整为:1333US,发现效果比较明显,可以出现明显凹痕,电压残余为8V左右.后续将时间调整为880US,成功穿出1MM孔,子弹反弹出2M外,铁罐打偏出0.5M(无配重).与计算相似,确切时间应该比880US还少,约500US左右.因为上班关系,后续实验改天进行.

实验发现问题:

采用400V的BOOST电路充电效果勉强,充电出现明显发热,固定用的502胶汽化了一部分.

IGBT仅采用一支,同时采用单线圈驱动发射,全部实验过程中没有出现烧毁元件现象.

初步实验电压250V有这样的效果很不错了,把电压提高到400V效果应该会更好.

BOOST电路哪里有问题呀?

BOOST最初是按照500V的充电电压设计的,所以在电感部分和频率部分都做了对应调整.也就是说它提供的初始电容电压为300V以上,对250V的电容充电,发热最明显的是电感.

按照电压分析,还需要将时间再作压缩,残余电压应该达到几十伏特左右.

BOOST是不是依靠调整占空比来调整输出电压的？

我昨天也试验了一下，电感量为80UH,没有控制电压，发现300V以前上升非常快，然后就变慢了，后来升到420V还在往上跑，不敢再试了，2200U/450V的电解爆炸可不是开玩笑的！

这个电路可靠性差了点！

三千多微法的电容，发射后电压残留只有8V，应该不正常，1毫秒左右的开通时间电容电压该在大几十伏以上才对，就算初始电压只有231V；不知阿匹用示波器测过脉宽没，脉宽应该由示波器测出来的才算数，没示波器的话，用声卡的音频输入来测也行，光靠程序很难做到不出错。所以，阿匹还是验证一下脉宽先。

建议有能力的XD用一些电源芯片来做开关电源，用555的话，脉宽固定，无过流保护，输出端短路时比较危险；还有，像12V到400V的这么大变比的电源最好用开关变压器来做，不然还要用高压管，一般高压管的正向压压降都比较大，所以最终出来的效率也低；

555可以调整脉宽和占空比，而其他开关电源的一些芯片本身反而不能调整频率和占空比。34063和TOP系列以前用过，不是很好。

阿丕的实验成功的关键点可能在于电压控制较低和导通时间较短，但效率就不好说了！

刚才用刚搭好的面包板充电到360V试验,效力总算看到了一点，子弹扎进30CM外的瓦楞纸（厚度3MM,多层发泡）包装盒里1CM，包装盒是竖着放的

，子弹扎进去的时候，盒子没有倒，甚至晃都没晃一下！这是我所有试验里效果最好的一次，也是电压最高的一次试验。

伴随着试验的“成功”效果，一声巨响，绿光一闪，开关管直接爆开了，炸的塑料末一桌子，又一个管子OVER了！

教训总结：开通时间太长，大约T=8.4MS；使用电压太高。MOS管导通之后，仍然有0。4欧的导通电阻。仅仅算直流电阻，线圈的阻值是0。2欧，360V加上去，电流至少在5400A以上，I*I*R*T*T的结果使得结温呈指数巨升，从而爆裂！

不知道还有没有更大功率的开关器件了？期待答案！

下一步准备找可控硅来试验，用IGBT看来决不是一个明智的选择！

555可以控制电压,在电容两端取出一个电压和基准电压比较,再送回555的4脚,老外的图纸里有的.

楼上的IGBT烧毁,电流太大和时间太长都是直接原因,用可控硅的话,这么长的时间估计也承受不了,最好控制在1mS以内比较好.

我现在用的就是电阻分压取样三极管控制的反馈，但是控制非常不精确！

我想占空比调整是可以调整这个充电电路能达到的电压上限，就是不知道这种推断有没有道理！？

阿丕的实验里用200多V电压，单管可以控制且不烧管，我估计是电流还没有达到最大值的时候就关断了！（但是又不能解释他的残压只有7-8V的结果）他应该用的也是IGBT(G80N60的DATASHEET里说额定80A，瞬间极限不超过240A)，200多V电压加到不到0.5欧的线圈上，实际电流远远超过它的承受极限了！

我爆管子后的残压是76V.

因为手头的所有管子几乎全部捐躯了，刚才用40A的电源插座，用螺丝刀快速短接试验了一下，最好的效果是直接完全穿过包装盒第一层，进入盒子内部，并扎在另一面上。后来又直接对着2米外的墙上射击，我只能说速度很快，子弹在木墙上没有扎住而反弹出去好几米远。仔细看扎的痕迹，子弹是斜着撞墙的，因为孔是斜的。如何纠正弹姿可能不是一个容易解决的问题！

34063，我也用过，脉宽是固定的没错，但起码有电流电压采样，有限流功能，使用时外围电路十分简洁，几个元件就能工作；比较成熟的电源芯片的脉宽是根据输出电压自行调节的，无级的，稳波小，电压平稳；

开关电源说简单也简单，说难也难，所以，不熟悉的XD还是用555吧，毕竟是可用的电路；

电磁Q的线圈驱动不推荐用场效应管，过流能力太差了，而且高电压大电流的管子少；
个人经验：开通时间没必要大于2MS，其实做一些物理计算就能得出了；为安全起见，实验时工作电压要慢慢的加，先试100V，测试整个一下回路是否有问题，如果这时都烧管便可判断是过压，没烧的话再测一下电容残压，只剩几伏的话估计是脉宽控制有问题，加到最后，不烧最好，烧的话，就要对当时的工作数据进行分析，不要一烧管就把这管子给否定掉，我烧的IGBT不下20个(当然，其中有些是因为不理智造成的，呵呵呵~)。

你的可能是取样电阻有问题,我是用1M的电阻串联10K的28圈精密电位器调整的,控制很精确,误差不超过几伏,在充电过程中逆变功率管(我用的是13007)发热,电压一到达阈值功率管马上不热了.

BOOST电路频率是多少?

网上找的BOOST电感计算都挺复杂,你是如何计算频率和电感的?

补充说明一下:

目前采用的线圈并非三线并行缠绕,而是采用了过去绕制质量很好的一个线圈,电阻约1.4欧姆,线直径0.5.

计算达到最大电流的时间为500US,开通时间太长,造成了迅速的电压降,同时大幅度削弱了发射威力.

下一步计划继续更改关断时间,获得理想的效果.

用400V电压充电到360V左右最合适,最大电流:360/(1.4+0.1)=240A

0.1欧为电容内阻与线路电阻.

240A刚好达到IGBT能承受的瞬间最大电流.

目前全装置(电池除外)大小不超过手掌,图片后续补充.

建议大家参考安酷兄弟的方案,我的IGBT保护电路几乎没有任何改动的采纳了他的建议并获得了良好效果。

没看到保护电路方案啊,我正要问保护电路呢.

我的电感基本上是凭感觉绕出来，再用电桥测出来的，在这个板块里有一些计算工具，但都不准确，甚至有严重错误。用555做的升压电路，老外推荐的电感量是120uh，工作频率1。5k,我的电感大约是80uh,工作频率比老外的高，我把震荡电容减小了，占空比是3：2。

看来要向你的目标奋斗！

传一些我的实验图片：

这是茶叶筒，底部的铁皮厚度在0。3-0.5mm之间，应该比铝制的易拉罐强度要高许多。

效果很好呀,一般单级电磁Q也只能达到这个效果了,穿透0.5~0.7mm铁皮的样子,要想再提高就要用多级加速了.

arou，大家都是从烧管的年代过来的，一起加油吧．

达到上述威力不错，再把控制保护做好还会有新发现．

交个朋友好吗？

我的ＱＱ１８３８０８７７２

ＱＱ上联系

不知道大家怎么作的结构，我把外围线圈与中间轨道连起来了，发射体是用的塑料管里套了螺旋管线圈，把线头引出到外皮与导轨接触，这样发射体可以起到开关作用，但电源的持续性没有解决，总不能带着电瓶到处跑吧，有兴趣的交流一下QQ：544061980

请问哪位朋友可以传一份用555搞的驱动可控硅的控制电路图吗？

做了一块SCR的4级加速板,工作情况良好,由于配套的4级加速线圈没有绕好,没有做4级连续加速测试,只实验了单级线圈,效果和以前的基本相同,可以穿透3层厚硬纸板.

板子是用万能板焊接的,零件安装密度很高,照的不太清楚.

板子包含电源保护部分,电源逆变部分,光电检测控制部分,放大驱动部分,可控硅功率及保护部分.

电源保护部分使用了一块LM339,有过压,欠压,反接保护,电源逆变部分使用的是BOOST电感回扫升压400V,使用了一块MC34063,外接功率管,光电检测控制使用了一块LM339,用红外发光管和光敏管做检测,延迟<1us,外接可控硅放大驱动,可控硅触发使用了驱动变压器隔离,可控硅功率部分使用的是俄佬的双可控硅V型开关控制,用压敏电阻做保护,每一级储能电容2000uf/400v.

现在的主要问题是加速线圈不好绕,一直都没绕出来,做这种带光敏管的多级线圈肯定要动用车床的,以后有时间有机会再绕,现在我的电磁Q试验要暂停一下了.

[em01]